تحقیق در مورد قسمت های اصلی یک رایانه

اختصاصی از فی ژوو تحقیق در مورد قسمت های اصلی یک رایانه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:35

پردازنده: این قطعه به عنوان مغز رایانه نامیده می شود و مسئولیت کنترل تمام محاسبات، عملیات و قسمت های مختلف را بر عهده دارد.

-حافظه: حافظه رایانه برای ذخیره اطلاعات به کار می رود. حافظه با ریزپردازنده در ارتباط می باشد، بنابر این از سرعت بالایی برخوردار است. در رایانه از چندین نوع حافظه استفاده می شود. (Virtual- Caching- BIOS- ROM- RAM)

- منبع تغذیه یا Power Supply :این قسمت از رایانه جریان الکتریکی مورد نیاز در رایانه را تنظیم نموده و مقدار آن راتأمین می کند.

-هاردیسک: یک حافظه با ظرفیت بالا و دائم می باشد که اطلاعات و برنامه ها را دربرمی گیرد.

-برد اصلی یا Mother Board :برد اصلی رایانه است که تمام قطعات بر روی آن نصب می شوند. پردازشگر و حافظه به طور مستقیم بر روی برد اصلی نصب خواهند شد. ولی ممکن است بعضی از قطعات به صورت غیرمستقیم به برد وصل شوند. مانند کارت صدا که می تواند به صورت یک برد مجزا باشد و از طریق اسلات به برد اصلی متصل است.

-کارت صدا یا Sound Card :کارت صدا سینگال های آنالوگ صوتی را به اطلاعات دیجیتال و برعکس تبدیل می کند و آنها را ضبط و پخش می کند.

-کارت گرافیکی یا :Graphic Cards اطلاعات را به گونه ای تبدیل می کند که قابل نمایش بر روی مانیتور باشد.

-کنترل کننده Integrated Drive Electronics (IDE) :این قطعه اینترفیس اولیه برای CD ROM، فلاپی دیسک و هارد می باشد.

- اینترفیس :(SCSI) Small Computer برای اضافه نمودن دستگاه های اضافی مانند هارد و اسکنر می باشد.

- گذرگاه Interconnect PeriPheral Component (PCI) :این قطعه رایج ترین شیوه جهت اتصال یک عنصر دیگر به رایانه است کارت های PCI از طریق اسلات ها به برد اصلی متصل است.

- پورت Accelerated Graphics Port (AGP) :این قطعه برای اتصال سرعت بالا از کارت گرافیکی به رایانه است.

تحقیق در مورد معماری اصلی

اختصاصی از فی ژوو تحقیق در مورد معماری اصلی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه232

فهرست مطالب ندارد

آثار و ابنیه گذاشته است که گاه با دخل و تصرف در بنا تغییرات بصری ایجاد می کند . مبانی نظری مرمت ، متکی بر اصولی است که در قرن نوزدهم مدون و ارائه گردید . هدف عمده آن عبارت بود از نزدیک کردن اثر معماری به فضای تاریخی خود ؛ در این راستا ایجاد شرایط لازم جهت استقرار بنا در محیط و فضایی که شکل گرفته است با لحاظ کردن روابط آن با فرهنگ ، سلیقه و ذوق زمان بنا ، ضروری است . از سوی دیگر مرمت معماری عبارت است از ایجاد شرایطی که بنا بتوانند مجدداً‌ زندگی یافته و بعنوان عضوی ارزشمند و تکمیل کننده از دنیای زمان ما ، در حیات آن مشارکت فعل داشته باشد ، ضمن اینکه هویت شکلی و الگوی زمان تاریخی خود را حفظ و ارائه می کند . این تفکر به عنوان یک مبانی نظری ، حاصل یک نگاه تحلیلی و نقادانه در هنر است که با شاخص کردن تفاوت بین زمان حال و گذشته امکان معرفی زمان گذشته را فراهم آورده و آن را به مقیاس تاریخی خودش بر می گرداند . بی تردید ارحجیت نگاه تاریخی ، فلسفی و نقادانه ، تحویلی اساسی در همه زمینه ها ایجاد می کند ، که معماری اصیل بنا را با یک شیوه حسی از اقدام خلاقانه جدید متمایز می گرداند . از زمانی که اقدام ما در زمان حال می خواهد با استفاده از روشهای خاص خود به معرفی گذشته بپردازد ، درست از لحظه ضرورت احترام به گذشته شروع می شود . و در واقع در نتیجه این نگرشی است که حفاظت بنا مطرح می گردد . با این پیش فرض که بنا دارای ارزشی تاریخی ، کالبدی با محتوا و پیام فرهنگی ، اعتقادی است و از این لحظه به بعد بنای معماری حائز شرایط جهت انتقال به آینده می گردد . در نتیجه روند برنامه ریزی  و کار ما مستلزم مبانی نظری و ابزارهای فنی مشخص شده و در واقع عمل معمار، مرمت کار برای پیوند گذشته بر حال ، یک عمل هنری تلقی می شود و تا زمانی که زنده و پویاست ، دارای حیات خواهد   بود ، که یکی از رموز کار هنری تضمین تداوم این پویایی و حیات زنده است. بنا بر این مرمت معماری یک عمل آگاهانه در دو بعد نقدی و خلاق  می باشد . نگاه عمده آن به تاریخی است که آمیخته با اعتقاد و فرهنگ است و این کالبد را مانند مصداقی عینی از کنش های اجتماعی می بیند

چرا مرمت می کنیم؟

یکی از سوالات اساسی که حول و هوش مرمت پیش می آید این است که چرا  و به چه خاطر به مرمت بناها و یا به طور کلی به مرمت ثروتهای فرهنگی می پردازیم؟

جوابهای گونه گونی می توانیم داشته باشیم نخست آنکه، به همان دلیلی که علوم انسانی را پی گیری و فرا می گیریم یعنی خود شناسی ومعرفت شناسی و اینکه به هویت تاریخی خود دست یابیم. به خصوص در سرزمینی مثل ایران که مکتوبات کمی در این باره داریم که این خود به روحیه و طرز تفکر مشرقی برمی گردد که در این نوشتار مجال پرداختن به آن نیست، می تواند مهم و قابل بررسی باشد.

دوم ، دستیابی و حفظ و نگهداشت آنچه به عنوان ارزش می شناسیم و تحویل آن به آیندگان تا آنان نیز در خور و شایسته خودشان از آنان بهره ببرند. و بتوانند با آگاهی از گذشته خویش حال و آینده خود را بهتر رقم زنند.

چه را مرمت می کنیم؟

سوال مهم دیگری که میتواند جلوی روی ما قرار گیرد می تواند این باشد که چه چیزی را مرمت می کنیم؟ به راستی آیا هرچه که از گذشتگان برایمان باقی مانده است باید مرمت شوند؟

برای جواب به این سوال باید به این نکته اشاره داشته باشیم، اینکه مفهوم ارزش را دریابیم یعنی اینکه ما ارزش را در چه چیزی می بینیم آیا فقط نشستن غبار تاریخی صرف می تواند دلیل موجهی برای حفاظت و مرمت باشد؟ یا انکه معمار یا سازنده اثر شخص شناخته شده ای باشد می توانیم آن اثر را با ارزش بدانیم؟

و اینکه آیا واقعا ما به آن اندازه امکانات نرم افزاری و سخت افرازی داریم که بتوانیم به شایستگی از این ثروتها حفاظت کرده و آنها را به نحوی وارد زندگی مان بکنیم؟

و آخر اینکه از لحاظ قانونی و حقوقی تا چه اندازه در این

دانلود مقاله حافظه اصلی و انواع آن

اختصاصی از فی ژوو دانلود مقاله حافظه اصلی و انواع آن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   15 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

حافظه اصلی و انواع آن

در علوم رایانه، به هر وسیله که توانایی نگهداری اطلاعات را داشته باشد، حافظه می‌گویند. حافظه یکی از قسمت‌های ضروری و اساسی یک رایانه به شمار می‌رود. همان طور که انسان برای نگهداری اطلاعات مورد نیاز خود علاوه بر حافظه درونی خویش از ابزارهای گوناگون دیگری همانند کاغذ، تخته سیاه، نوار ضبط صوت، نوار ویدیو و ... استفاده می‌کند رایانه هم می‌تواند از انواع گوناگون حافظه استفاده کند. به طور کلی دو نوع حافظه داریم :
• «حافظه اصلی» که به آن «حافظه اولیه» یا «حافظه درونی» نیز می‌گویند .
• «حافظه جانبی» که به آن «حافظه ثانویه» یا «حافظه کمکی» نیز می‌گویند .

حافظه اصلی
کلیه دستورالعمل‌ها و داده ها، برای این که مورد اجرا و پردازش قرار گیرند، نخست باید به حافظه اصلی رایانه منتقل گردند و نتایج پردازش نیز به آنجا فرستاده شود. حافظه اصلی رایانه از جنس نیمه رسانا ( الکترونیکی ) است و در نتیجه، سرعت دسترسی به اطلاعات موجود در آنها در مقایسه با انواع حافظه جانبی که بصورت مکانیکی کار میکنند مانند دیسک سخت، دیسک‌گردان، و لوح فشرده بالاست و قیمت آن نیز گران تر است اما در مقابل حافظه‌هایی، که به پردازنده نزدیکتر هستند و از ظرفیت کمتری برخوردارند مانند ثبات(به انگلیسی: Processor Registers) و حافظه نهان سی‌پی‌یو (به انگلیسی:Cache)ارزانتر و از سرعت دسترسی پایینتری بهره میبرند. حافظه‌های اصلی نیز به دو دسته تبدیل می‌شوند:
• حافظه خواندنی/ نوشتنی (به انگلیسی: RWM)، حافظه دسترسی تصادفی (به انگلیسی: Random Access Memory یا RAM) از این نوع است.
• حافظه فقط خواندنی (به انگلیسی: Read Only Memory یا ROM)
حافظه خواندنی/ نوشتنی [ویرایش]
همان طور که از نام این حافظه پیداست، پردازنده می‌تواند هم در این نوع حافظه بنویسد و هم از آنها بخواند. به طور کلی، برنامه‌ها (به انگلیسی: Codes)، دستورالعمل‌ها (به انگلیسی: Instructions)، و داده‌هایی (به انگلیسی: Data) در این حافظه قرار می‌گیرند که پردازشگر بخواهد بر روی آنها کاری انجام دهد. به این نوع حافظه ها، حافظه فَرّار نیز می‌گویند زیرا با قطع برق، محتویات آن‌ها از بین می‌رود. RAMها غالباً دو نوع اند :
• DRAM
(RAMدینامیک ) : در این نوع حافظه اطلاعات به طور اتوماتیک توسط رایانه تازه (به انگلیسی:Refresh) می‌شوند. به دلیل چگالی بیشتر داده‌ها و ارزان بودن RAM دینامیک پراستفاده است و در حافظه دسترسی تصادفی (به انگلیسی: RAM) از آن بیشتر استفاده میشود.
• SRAM
(RAMاستاتیک ) : سرعت این نوع حافظه بالاتر از نوع دینامیک است. از این نوع RAM در حافظه نهان (به انگلیس:Cache) که بین حافظه اصلی و پردازنده قرار دارد، استفاده می‌شود.
حافظه فقط خواندنی [ویرایش]
همانگونه که از نام حافظه فقط خواندنی (به انگلیسی: ROM) مستفاد میشود، پردازنده نمیتواند به صورت خودکار اطلاعات موجود در این نوع حافظه را تغییر دهد، بلکه فقط می‌تواند آن را بخواند. هنگام خاموش شدن رایانه نیز این اطلاعات از بین نمی‌رود و ثابت می ماند. سامانهٔ ورودی/خروجیِ پایه (به انگلیسی: Basic Input/Output System یا BIOS)که وظیفه تنظیمات ساختاری سخت‌افزاری رایانه و همچنین آزمایش و راه اندازی قسمت‌های گوناگون رایانه را به هنگام روشن شدن سیستم برعهده دارد در این نوع حافظه قرار داده می‌شود.
ساخت مدارهای منطقی به کمک ROM و تراشه‌های همانند [ویرایش]
ROM و ساختارهای همانند PROM وRAM از اعضای مهم خانواده تراشه‌های قابل برنامه ریزی می‌باشند. توسط ROM هر نوع تابع ترکیبی را می‌توان به وجود آورد زیرا که این تراشه در برگیرنده تمام عبارات حداقلی (Minterm ) می‌باشد ولی نکته‌ای که نباید از نظر دور داشت این است که استفاده از ROM اضافه بر کاهش سرعت سیستم در خیلی از مواقع ممکن است نوعی به هدر دادن منابع بوده و ازلحاظ اقتصادی مقرون به صرفه نباشد چون کمتر مدارهایی وجود دارند که احتیاج به استفاده از چنین آرایه‌های بزرگی داشته باشند. در موارد زیر استفاده از حافظه‌های یاد شده به منظور پیاده سازی مدارهای منطقی می‌تواند مفید و مقرون به صرفه باشد.
• الف: زمانی که مسا له در ابتدا به صورت جدول درستی بیان شده باشد زیرا که محتویات جدول مذکور مستقیماً قابل پیاده شدن بر روی ROM می‌باشد وهیچ نیازی به پردازش و ساده سازی صورت مساله نخواهد بود. جداول تبدیل انواع رمزها به یکدیگر(Look Up Tables) و کنترلرهای ریز برنامه‌ای مثالهای مناسبی از این نوع مدارهای منطقی می‌باشند. در یک چنین حالاتی درست نخواهد بود که ساختاری که مستقیماً قابل پیاده شدن بر روی ROM است را به هم زده و پردازش‌های گوناگون بر روی آن انجام دهیم به خاطر آن که بخواهیم جواب مساله را با استفاده از دریچه‌ها طراحی کرده و یا به عبارتی آن را به صورت مجموع حاصلضربهای ساده شده درآوریم.
• ب: زمانی که تابع مورد نظر احتیاج به عوامل حاصل ضربی خیلی زیاد داشته که بیش از امکانات PLDهای موجود باشد یک چنین حالاتی معمولاً در مورد توابع حسابی پیش می‌آید.
• ج: مواردی که به منظور ساخت بلوک‌های منطقی تغییر پذیر بوده و تعداد عوامل حاصلضربی مورد نیاز در تغییرات آینده قابل پیش بینی نباشد، در این مواقع استفاده ازحافظه‌ها یکی از راه حل‌های مناسب خواهد بود.
همان گونه که یاد آور شدیم، کاربرد مورد الف در تبدیل رمزها به همدیگر است. مثلا رایانه‌های بزرگ غالبا داده‌های خود را به صورت رمز EBCDIC به سمت دستگاه‌های چاپگر می فرستند. حال اگر بنا باشد از یک دستگاه چاپگر ارزان PC به جای چاپگر ویژه بزرگ استفاده گردد باید رمز داده‌های ارسالی را به ASCII تبدیل نمود، در یک چنین موردی جدول درستی تبدیل EBCDIC به ASCII مستقیماً قابل پیاده شدن بر روی ROM می‌باشد. رمز EBCDIC به عنوان آدرس ROM و رمز ASCII به عنوان محتویات ROM به حساب خواهند آمد.
مثال دیگر از این نوع، تبدیل رمز دودویی خالص Pure Binary داخلی سیستم‌های میکروکنترلر به رمز BCD برای نمایش اطلاعات خروجی می‌باشد. با توجه به مطالب بالا می‌توانیم نتیجه گیری کنیم که در توابعی که خروجیها به صورت مشابه با محتویات و ورودیها مشابه با ورودیهای آدرس حافظه‌ها باشند، این تراشه‌ها نامزدهای مناسبی برای پیاده سازی توابع یاد شده در بالا می‌باشند.
به عنوان مثال اگر منظور ساخت یک علامت الکتریکی رقمی متشکل از ۱۶ وضعیت گوناگون در یک پریود خود باشد، می‌توان از یک ROM ، ۱۶ خانه تک رقمی استفاده نمود. پریود موج تولید شده شانزده برابر زمان لازم برای خواندن داده‌ها از روی ROM خواهد بود. خطوط آدرس این ROM ﺗﻮسط خروجی‌های یک شمارنده ۱۶ حالتی طبیعی فرمان داده می‌شوند.
نام دیگری که در چنین مواردی برای ROM مورد استفاده قرار می‌گیرد، واژه PLE خلاصه شده عبارت Programmable Logic Element می‌باشد. این واژه به این دلیل برای نامیدن ROM مورد استفاده قرار می‌گیرد، که ROM به صورت اصولی یک تراشه تولید توابع منطقی نیز می‌باشد.
یک ابزار نرم‌افزاری به همین منظور، یعنی کمک به پیاده سازی مدارهای منطقی به کمک ROM زمانی به بازار عرضه گردید که به نام' PLEASM 'که خلاصه شده Programmable Logic Element Assembler می‌باشد، نامیده می‌شد. این ابزار خصوصیات طرح منطقی مورد نظر را به صورت معادلات دودویی و یا توابع حسابی قبول کرده و خروجی خود را به صورت جدول درستی که مستقیماً قابل پیاده شدن بر روی ROM و یا به عبارتی PLE باشد آماده می نمود. ROMها را در ابعاد و سرعت‌ها و تکنولوژی‌ها گوناگون می سازند. انواع دو قطبی BIPOLAR آن با زمان دسترسی حدود ۱۰ نانو ثانیه و گونه‌های CMOS آن با حداقل زمان دسترسی تقریباً چندین برابر این مقدار در بازار وجود دارند. انواع قابل برنامه ریزی (PROM ) نیز وجود دارند که بعضی به توسط فیوزها برنامه ریزی می‌شوند و قابل پاک شدن نیستند و بعضی‌ها هم با پرتو فرابنفش قابل پاک شدن می‌باشند که به آنها EPROM گفته می‌شود.
در حافظه‌های PROMتمام ﺑﻴﺖهای کلمات در ابتدا برابر ۱ هستند.برای داشتن صفر در کلمات حافظه می باﻳﺴتی ﻳﻚ جریان پالسی در خروجیROM برای هر آدرس قرار داد بطوری که ﻓیوزی که داخلPROM قرار داردمی سوزد.در اﻳن صورت آن ﺑﻴتی که ﻓیوز آن سوخته است دارای اطلاعات صفر می‌شود. به اﻳن ترﺗﻴب کاربر متناسب با ﻧﻴاز در آزماﻳﺸگاه خودPROM را برنامه ریزی می‌کندو در هر کلمه حافظه PROMاطلاعات مورد نظر را قرار می‌دهد. گونه‌های دیگری نیز وجود دارند که از لحاظ تکنیک ساخت و طرز کار ما بین ROM و RAM قرار می‌گیرند که از آن جمله می‌توان از: E۲PROM=Electrically Erasable Programmable Read Only Memory و Flash Memoryها نام برد.
مختصری در مورد E2PROM و Flash Memory [ویرایش]
استفاده از این نوع حافظه‌ها که از نوع غیر فرار'Nonvolatile 'بوده و یعنی از این لحاظ شبیه بقیه انواع ROM می‌باشند، زمانی به کار می‌آید که نیاز باشد تراشه بدون برداشته شدن از روی مدارقابل برنامه ریزی مجدد باشد.
Flash Memory از لحاظ تکنولوژی ساخت تلفیقی از روشهای ساخت حافظه‌های EPROM و E2PROM می‌باشد ودر واقع مزایای هر یک از حافظه‌های یاد شده در بالا را دارا می‌باشد. Flash Memoryها می‌توانند همانند E2PROMها به صورت الکتریکی پاک شوند با این تفاوت که این‌ها بر خلاف E2PROMها که خط به خط پاک می‌شوند به صورت یک جا تمام محتویات آنها قابل پاک شدن می‌باشد. و از این لحاظ شبیه EPROM می‌باشند. البته با این تفاوت که نوع اخیر توسط نور فرابنفش شدید در مدتی در حدود ۱۵ الی ۲۰ دقیقه پاک می‌شود. در صورتی که این عمل برای حافظه‌های از نوع Flash در یک لحظه خیلی کوتاه انجام می پذیرد و کل عمل پاک کردن و برنامه ریزی دوباره در عرض چند ثانیه قابل انجام است. بنابراین از این لحاظ این نوع حافظه سریع تر از E2PROMها می‌باشد.
نکته دیگری که قابل توجه است، این که در این نوع از حافظه احتیاج به ایجاد پنجره شفاف جهت انجام عمل پاک کردن محتویات تراشه شبیه آنچه در EPROM موجود بود، نمی‌باشد و از این لحاظ ساخت تراشه ارزانتر تمام خواهد شد. حافظه‌های E۲PROM و Flash معمولاً ولتاژ تغذیه دیگری علاوه بر تغذیه استاندارد ۵ ولتی نیز دارند که در مورد حافظه‌های یاد شده در بالا این ولتاژ در خیلی از مواقع حدود ۱۲ ولت بوده و برای انجام عمل نوشتن و پاک کردن مورد استفاده قرار می‌گیرد و با قطع آن محتویات داخلی تراشه ثابت خواهند ماند و به عبارتی در مقابل پاک شوندگی و یا تغییرات ناخواسته اتفاقی مصونیت پیدا خواهند کرد. جدول ۱- نشان دهنده خواص عمده از خانواده حافظه‌های غیر فرار یعنی EPROM و E2PROM وFlash از دید مقایسه‌ای می‌باشد.
جدول۱- مقایسه مشخصات اسامی سه نوع حافظه غیر فرار
E2PROM FLASH UVEPROM وضعیت
الکتریکی بایت به بایت الکتریکی به صورت یک جا به صورت نور فرابنفش پاک کردن
بربایت بربایت بربایت برنامه ریزی
۵ولت ۵ و۱۲ ولت ۵/۱۲ و۲۱ ولت ولتاژ برنامه ریزی
در داخل سیستم در داخل سیستم به توسط دستگاه ویژه روش برنا مه ریزی
۱۰ثانیه ۵ ثانیه ۱۵ تا ۲۰ ثانیه زبان برنامه ریزی برای یک مگا بایت
حافظه‌های Flash در خیلی از مواردی که به صورت معمول ازE2PROM و EPROM و یا مجموعه SRAM و باتری و یا DRAM و دیسک مغناطیسی استفاده می‌شود، کاربرد دارند و می‌توانند جایگزین انواع بالا بشوند. هزینه برنامه ریزی دوباره کمتر برای حافظه Flash از مزایای عمده این نوع تراشه‌ها بوده و از این لحاظ کاربرد آنها در طولانی مدت به مراتب از کاربرد EPROM مقرون به صرفه تر است. یکی از عیوب این حافظه‌ها تعداد محدود دفعات نوشتن و پاک کردن آنها می‌باشد که مقدار حداکثر آن در مدارک فنی سازندگان در حال حاضر ده هزار یاد می‌شود و این در حالی است که تعداد دفعات پاک کردن و برنامه ریزی مجدد برای EPROMها در حدود یک هزار بار می‌باشد و از لحاظ نظری این رقم برای حافظه‌های RAM بی نهایت می‌باشد. نکته دیگری که قابل بیان است این که تعداد E2PROMهای ساخته شده از لحاظ تنوع به مراتب از EPROMها کمتر می‌باشد.
سرعت کار حافظه‌ها به صورت سرعت دسترسی به اطلاعات آن‌ها در زمان خواندن بیان می‌شود که به صورت پسوندی پس از شماره قطعه حافظه قید می‌گردد. مثلا ۲۷C۵۱۲-۱۲۰ نشان دهنده یک نوع حافظه EPROM با ظرفیت ۵۱۲ کیلو بایت و با زمان دسترسی ۱۲۰ نانو ثانیه می‌باشد در صورتی که ۲۷C۵۱۲-۲۵۵ نشان دهنده همین نوع حافظه منتها با زمان دسترسی ۲۵۵ نانو ثانیه می‌باشد.
نکته دیگری که در مورد حافظه‌های EPROM قابل ذکر است اینکه معمولاً برای هر نوع EPROM و ROM معادل نیز توسط سازندگان عرضه می‌شود و این بدان دلیل است که سازندگان دستگاه پس از اتمام دوره نمونه سازی و در دوران تولید انبوه بتواند EPROM خود را با ROM معادل که هم از نظر قیمت خیلی ارزانتر و هم از نظر پایداری اطلاعات ضبط شده خیلی بادوامتر و مطمئن تر می‌باشد جایگزین نمایند.
به عنوان مثال تراشه ROM ۲۳۳۲ معادل EPROM ۲۷۳۲ بوده و تراشه ROM ۲۷X۵۱۲ معادل ۲۷C۵۱۲ که یک EPROM ، ۵۱۲ کیلو بایتی است، می‌باشد. جدول۲- نشان دهنده تعدادی از EPROMهای معمول موجود در بازار و ROM مشابه آنها و بعضی از اطلاعات اساسی مربوطه می‌باشد. در دو ستون آخر این جدول نمونه‌هایی از حافظه‌های E2PROM و Flash که از لحاظ ظرفیت و سازماندهی داخلی همانند EPROMهای هم ردیف خود می‌باشند، آمده اند.
جدول ۲- ROM و EPROM های معادل و E2PROM و FALSH های مشابه
FLASHمشابه E2PROM مشابه ROM معادل تکنولوژِی ساخت سازماندهی داخلی حجم طلاعاتی نوع تراشه
PCB۸۵۸۲ ۲۵۶×۸bit ۲k
۲۸۱۶ ۲۰۴۸×۸bit ۱۶k ۲۷۱۶
۲۳۳۲ ۴۰۹۶×۸bit ۳۲k ۲۷۳۲
۲۷×۶۴ CMOS ۸۱۹۲×۸bit ۶۴k ۲۷c۴۶
۲۷×۱۲۸ CMOS ۱۶۳۸۴×۸bit ۱۲۸k ۲۷c۱۲۸
۲۸f۲۵۶ ۲۷×۲۵۶ CMOS ۳۲۷۶۸×۸bit ۲۵۶k ۲۷c۲۵۶
۲۸f۵۱۲ ۲۷×۵۱۲ CMOS ۶۵۵۳۶×۸bit ۵۱۲k ۲۷c۵۱۲
۲۸f۰۱۰ ۲۷×۱۰۲۴ CMOS ۱۳۱۰۷۲×۸bit ۱M ۲۷c۰۱۰
نوعی از EPROMها وجود دارند که به نام' OTP 'کوتاه شده عبارت One Time Programmable نامیده می‌شوند. این نوع همانطور که از نام آنها پیدا است فقط یک بار می‌توانند برنامه ریزی شوند. اینها معادل EPROM هایی با همان شماره قطعه می‌باشند با این تفاوت که فاقد پنجره شفاف بوده و جعبه آنها ازپلاستیک یک تکه ساخته شده و طبیعتاً ارزانتر از EPROMهای پنجره دار (قابل پاک شدن) می‌باشند. پنجره شفافی که در EPROMهای معمولی وجود دارد از جنس کوارتز بوده و در موقع پاک کردن نور فرابنفش از آن عبور کرده و با سطح تراشه برخورد می نماید و در صورتی که شدت و زمان تابش پرتو کافی باشد سبب پاک شدن تراشه خواهد شد. برای پاک نمودن می باﻳﺴت ﻳﻚ سطح زیاد از انرژی را به منظور شکستن الکترونهای منفی دریچه شناور ( Floating Gate)استفاده کرد.
درﻳﻚ EPROM استانداردﻋﻤﻠیات بالا از راه پرتو فرابنفش با فرکانس ۲۵۳/۷انجام می‌گردد. برای حذف ازحافظهEPROM، باﻳﺪ قطعه را از محل خارج کرده و به مدت چند دﻗﻴﻘﻪ زیر پرتو فرابنفش دستگاه پاک کننده قرار داداز طرﻳﻖ ﺩﺭیچه کوارتز کلیه بارهای روی تراشه ناپدﻳﺪشده وآرایهORرا به حالت برنامه رﻳﺰی نشده اش باز می گرداند، اصطلاحا اطلاعا ت EPROMپاک شده است. گر چه اﻳن بارها به اندازهٔ ﻓیوزها داﺋمی ﻧﻳﺴتندولی برای مدت ۱۰ سال محبوس باقی می مانند.
شکل زیر نشان دهنده شمای ساده شده یک سلول از حافظه نوع Flash می‌باشد. ساختمان این سلول بجز در مورد نحوه پاک شوندگی شباهت به سلول EPROM دارد و طریقه به تله انداختن بار الکتریکی در دریچه شناور نیز شبیه حالت EPROM می‌باشد. در موقع برنامه ریزی ولتاژ دریچه کنترل و Drain بالا برده شده و Source به سمت Drain شده و در آنجا بعضی از این الکترونها پر انرژی شده و شباهت به الکترون آزاد پیدا می‌کنند و در اینجا این الکترونها تحت اثر ولتاژ مثبت اعمال شده از سوی دریچه کنترل به سمت آن جذب شده و در ضمن عبور از منطقه اکسید نازک در دریچه شناور به تله می افتند. الکترونهای به تله افتاده در دریچه شناور یک میدان الکتریکی ایجاد می نمایند که این میدان سبب قطع شدن ترانزیستور شده و سلول مربوطه به وضعیت صفر منطقی خواهد رفت.
برای پاک کردن سلول این حافظه مشابه E2PROM عمل می‌شود. بدین طریق که ولتاژ مثبت بالایی به پایانه Source ترانزیستور وصل شده و دریچه کنترلی به زمین وصل می‌شود. میدان الکتریکی حاصل شده در این حالت سبب می‌شود که بار الکتریکی ذخیره شده در دریچه شناور از منطقه اکسید نازک عبور کرده ( Fowler-Nordheim Tunneling) واز طریق Source به زمین برود. در زمان پاک کردن ولتاژ مثبت بالا همزمان به Source تمام سلولها متصل می‌شود و در نتیجه تمام سلولها با هم پاک می‌شوند. در حالت پاک شده چون دریچه شناور خالی از الکترون است، در نتیجه ترانزیستور روشن بوده و سلول حالت یک منطقی را از خود نشان خواهد داد .
حافظه جانبی [ویرایش]
از حافظه جانبی برای ذخیره سازی دائمی اطلاعات استفاده می‌شود. این حافظه از عناصر غیر الکترونیکی ساخته شده و قیمت آن ارزان و سرعت آن پایین است. برای اجرای یک برنامه از روی دیسک جانبی، اول باید برنامه در حافظه اصلی ) RAM ) قرار گیرد و سپس توسط CPU مورد پردازش قرار گیرد .برای نگهداری اطلاعات این نوع حافظه هیچ گونه انرژی مصرف نمی‌کند، اما برای ذخیره سازی و فراخوانی اطلاعات نیاز به انرژی دارد . به طور کلی حافظه جانبی دو نوع است : ( حافظه غیر مغناطیسی و حافظه مغناطیسی )

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   15 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

دانلود مقاله hCG ، عامل اصلی بین مرگ و زندگی

اختصاصی از فی ژوو دانلود مقاله hCG ، عامل اصلی بین مرگ و زندگی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   16 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

لورنس اِی. کول

چکیده
hCG یک نام عمومی برای 5 ملکول فعال زیستی است که دارای توالی اسید آمینه های واحد فرعی α و ß هستند. این 5 ملکول دارای عملکرد زیستی کلیدی در بارداری و سرطان در انسان هستند. این مقاله این ملکول ها را بطور کامل بررسی میکند. این 5 ملکول با نام های hCG ،hCG هایپرگلیکوسیلیت ،hCG آزاد ß ، و هایپرگلیکوسیلیت آزاد ß توسط سلول های سینسیتیو تروفوبلاست جفتی و سلول های گانادتروپ مخاطی (گروه 1) و سلول های سیتو تروفوبلاست جفتی و بدخیمی انسان (گروه 2) تولید می شوند. ملکول های گروه 1 هر دو هورمون هایی هستند که بر روی گیرنده LH/hCG عمل میکنند. این ملکول ها در مرکزیت چرخه قاعدگی و بارداری زنان قرار دارند. ملکول های گروه 2 اتوکرین هایی هستند که توسط اثر مخالف با گیرنده TGFß عمل میکنند. این ملکول ها برای همه بدخیمی های پیشرفته مهم و بحرانی هستند. گروه های hCG ملکول های مهم برای ملکول های بارداری یا زندگی انسان ، و گسترش دهنده سرطان و مرگ انسان ها هستند.
کلمات کلیدی: گنادوتروپین کوریون انسان ، سیتو تروفوبلاست ، سینسیتیو تروفوبلاست

1- hCG ، دو گروه از ملکول ها با توالی های مشترکی از اسیدهای آمینه
آسان نیست که بگوییم که کاشف hCGگنادوتروپین جفتی چه کسی بود. در سال 1912 اشنر دستگاه تناسلی خوکچه های هندی را با تزریقات عصاره جفت انسان تحریک کرد. در سال 1919 هیروس از خرگوش های نابالغ و بافت جفتی انسان برای تحریک تخمک گذاری و عملکرد طبیعی جسم زرد استفاده کرد. هر دوی این مطالعات ارتباط مشخصی را بین هورمون ایجاد شدخ توسط جفت و زهدان نشان دادند. در همین زمان ، نام گنادوتروپین کوریون انسان (hCG) ایجاد شد: کوریون از کلمه لاتین chordate به معنی "پس از تولد" گرفته شده است. گنادتروپین بخاطر اینکه این هورمون یک ملکول غده جنسی است ، و بر روی تخمدان ها عمل میکند ، اعمال تحریک شده توسط استروئید را افزایش می دهد. در سال 1927 اشیم و زونداک اثبات کردند که زنان باردار ماده تحریک جنسی را از خود تراوش میکنند. این از جنبه هایی اولین یافته hCG بود. آنها نشان دادند که تزریق این ملکول به موش های ماده منجر به تخمک گذاری و بلوغ کیسه ای آنها شد. ما در جدول 1 همه این مؤلفان را بعنوان کاشفان hCG بیان کرده ایم. مرور آن داستان جالبی از ملکول hCG است که ما امروزه آنرا می دانیم.
جدول 1 اکتشافات اصلی را در داستان hCG نشان می دهد. مطالعات متعددی بر روی توالی اسیدهای آمینه hCG و الیگوساکاریدهای مرتبط با N و O تمرکز کرده اند که بخش اصلی از ساختار hCG را تشکیل می دهند. اکتشافات اصلی دیگر شامل گیرنده LH/hCG و حل فعالیت های زیستی بسیاری از hCG است. عملکرد احتمالی برای hCG اینست که رشد را کنترل می کند اگر جنین وجود داشته باشد. محققان بسیاری داستان سلول های سرطانی را می دانند که شکلی از hCG را تولید میکنند. این تحقیق با این یافته آغاز شد که سرطان ها hCG آزاد ß را ایجاد می کنند که رشد سلول سرطانی و بدخیمی را توسط خنثی کردن گیرنده TGFß افزایش می دهد که یک گیرنده متفاوت با گیرنده LH/hCG است. اکتشافات اصلی دیگر شامل یافتن ژن واحد فرعی α بر روی کروموزوم 6 ، و ژن واحد فرعی ß بر روی کروموزوم 19 و ژن های پیچیده hCGß-LHß بر روی کروموزوم 19 می باشد. تست اولیه hCG ، تست فعالیت زیستی ، در سال 1930 کشف شد و پیوند پادتن hCG اولیه در سال 1960 کشف شد. آزمون پرتو ایمنی hCG اولیه در سال 1967 کشف شد. آزمون پرتو ایمنی دارای واکنش متقاطع با LH است. واحد های فرعی آزاد α و ß بعنوان ملکول های پنهان در سال 1978 کشف شدند. ساختار کربوهیدراتی که از ترکیب واحد فرعی α با واحد فرعی ß جلوگیری میکند در سال 1985 توصیف شد. ظاهراً عجیب ترین اکتشاف این بود که بعضی از گونه های hCG عملکرد مستقلی نسبت به هورمون hCG دارند. همانطور که نشان داده شده است ،hCG هایپرگلیکوسیلیت رشد سلول سیتو تروفوبلاست را در هنگام بارداری افزایش می دهد و القاء بارداری را تحریک میکند (این ملکول عملکردهای مستقلی نسبت به hCG دارد). اخیراً اثبات شده است که hCG هایپرگلیکوسیلیت بعنوان تحریک کننده القاء بارداری و hCG آزاد ß بعنوان یک تحریک کننده سرطانی عمل میکند. شکل های مختلفی از hCG شامل شکل های سولفاته از hCG است که توسط غده هیپوفیز در حین چرخه قاعدگی ایجاد می گردد. این ملکول های سولفاته مورمون هایی مانند hCG هستند که بر روی گیرنده LH/hCG عمل میکنند. hCG سولفاته LH را در حین چرخه قاعدگی تکمیل میکند.
همانطور که در جدول 2 نشان داده شده است ، 5 گونه مشخص از hCG وجود دارد که توسط سلول های مختلف ایجاد می گردد و عملکردهای مجزایی دارد. اینها همه ملکول هایی هستند که دارای توالی اسید آمینه مشترکی با hCGهستند. من بیاد دارم که با کشف اولین گونه مستقل ، یعنی hCG هایپرگلیکوسیلیت ، من ابتدا نام دیگری به آن دادم (آنتی ژن تروفوبلاست مهاجم). این نام بمدت 2 سال بکار برده شد تا اینکه سازمان بهداشت جهانی به من اطلاع داد که من باید نامی برای آن انتخاب کنم که واژه hCG را داشته باشد ، چون توالی اسید آمینه یکسانی با آن دارد. این شرایط عجیبی است که hCG به گیرنده LH/hCG متصل می گردد و hCG هایپرگلیکوسیلیت گیرنده TGFß را خنثی میکند. دو ملکول جداگانه با توالی اسید آمینه مشترک. من فوراً آنرا hCG هایپرگلیکوسیلیت نامگذاری کردم. من فرض میکنم که همین قانون باید برای هر 5 گونه اعمال شده باشد. همه گونه های hCG دارای سنجش متریک و ساختار کربوهیدرات مختلفی هستند. دوپار hCG از 30 درصد شکر یا اولیگوساکارید توسط وزن ملکولی ،hCG هایپرگلیکوسیلیت از 39 درصد اولیگوساکارید ، و هایپرگلیکوسیلیت آزاد ß از 42 درصد اولیگوساکارید توسط وزن ملکولی تشکیل شده است. از 5 گونه فعال زیستی ،hCG توسط سلول های سیتو تروفوبلاست جفتی ،hCG سولفاته توسط سلول های گنادوتروپ مخاطی ،hCG هایپرگلیکوسیلیت توسط سلول های سیتو تروفوبلاست جفتی ،hCG آزاد ß توسط بدخیمی ها ، و هایپرگلیکوسیلیت آزاد ß توسط بدخیمی ها ساخته می شود. این 5 گونه را میتوان به دو نوع کلی از ملکول ها طبقه بندی کرد. hCG و hCG سولفاته اندوکرین هستند و بر روی گیرنده LH/hCG در حین بارداری و در حین چرخه قاعدگی عمل میکنند. hCG هایپرگلیکوسیلیت ،hCG آزاد ß و هایپرگلیکوسیلیت آزاد ß اتوکرین هستند و بر روی گیرند TGFß در سلول هایی عمل میکنند که ملکول ها را تولید میکنند. بنابراین hCG اندوکرین و hCG اتوکرین وجود دارد. اتوکرین ها تحریک کننده سرطان هستند.
hCG از 92 واحد فرعی α اسید آمینه با 2 اولیگوساکارید مرتبط با N و 145 واحد فرعی ß مرتبط با N و اولیگوساکارید های مرتبط با O تشکیل شده است. ساختار هر گونه از hCG ها دارای ساختار کربوهیدرات مختلفی است. ساختارهای تولید شده در موارد سرطانی ، کوریکارسینوما و بدخیمی های دیگر شامل ساختارهای هایپرگلیکوسیلیت بزرگتری با اولیگوساکارید های سه-آنتناری مرتبط با N و الیگوساکاریدهای پیچیده تر مرتبط با O می باشد. ملکول های hCG همچنین بعلت تغییر در محتوای شکر اسید سیالیک ، دارای بارهای الکتریکی مختلفی هستند. hCG شکافته می شود و فوراً پس از تراوش درشت خوارها ، گلبول های سفید خون و گویچه های تک هسته ای جدا می شود. اینها در اطراف سلول های تروفوبلاست جفتی جمع می شوند. آنزیم الاستاز گلبول سفید انسن توسط درشت خوارها ، گلبول های سفید و گویچه های تک هسته ای تولید می شود. سپس همین آنزیم پپتید خروجی C واحد فرعی ßhCG را در 93-92 ß تقسیم می کند که منجر به آزادسازی پپتید خروجی C واحد فرعی ß می گردد. علاوه بر این تجزیه hCG و تجزیه سریع تر توسط الاستاز گلبول سفید ، مسیرهای اصلی تجزیه hCG بدست می آید. در کلیه ها ، با پیروی از تقسیم بندی یا تجزیه پپتید خروجی C واحد فرعی ß در سرم ، اگزوگلیکوسیدازها و ، الاستاز گلبول سفید ، آنزیم شکستگی ، تقسیم 6-5 ß را پاک سازی می کنند. آنچه که در ادرار مشاهده می شود بخش هسته ß است ، که محصول تجزیه خروجی گونه های hCG است. بخش هسته ß از واحد فرعی ß 38-6 ، دسولفید مرتبط با تشکیل شده است.
با اضافه سازی همه موارد ،hCG در 5 ملکول فعال از لحاظ زیستی مستقل وجود دارد. هر کدام از اینها ممکن است بعنوان گونه های سیالیته کامل ، سیالیته غیرکامل ، سیالیته نیمه تکمیل و سیالیته ناقص ترکیب گردد. اینها ممکن است بصورت متقابل در گردش یا مجزا شده بعنوان واحد های فرعی ß باقی بماند و 120 ملکول گردنده را ایجاد کنند. اینها ممکن است تقسیم شوند و پپتید خروجی C خود را از دست دهند و حداکثر 240 ملکول گردنده را ایجاد کنند.

جدول 1 اکتشافات اصلی در زمینه hCG
1912-1927 اولین اکتشاف گناداتروپین تخدمان جفتی ،hCG اشنر ، هیروس و زونداک
1930 اولین تست hCG ، تست بارداری زونداک-اشیم زونداک بی. ، اشیم اس.
1960 اولین تست بارداری ایمن شناسی ، تست لخته شدگی پادتن واید ال. گزمل سیا
1967 اولین آزمون پرتو ایمن hCG آئونو و همکارانش
1970 کشف اینکه hCG یک دوپایای مرتبط غیر کووالانسی است اسوامینا ان. و همکارانش
1972 اکتشاف آزمون پرتو ایمن hCGß واتیکوتیس آی.جی. و همکارانس
1975 کشف ساختار اسید آمینه hCG مورکان و همکارانش
1978 تولید hCG واحد فرعی آزاد α و آزاد ß فرانکیمونت و همکارانش
1980 کشف تکامل hCG در بین نخستین ها فیدس و همکارانش
1981 کشف میزان پاک سازی متابولیکی hCG وهمان و همکارانش
1981 کشف ژن واحدفرعی α مشترک فیدس و همکارانش
1982 ساختار ژن واحد فرعی ßhCG بورستین و همکارانش
1983 کشف ساختار کربوهیدرات مرتبط با NhCG میزوچی و همکارانش
1983 کشف اینکه واحد فرعی ß آزاد در سلول سرطانی وجود دارد کول ، هارتل و همکارامش
1984 اولین آزمایش ایمن سنجی hCG هوسا و همکارانش
1984 کشف بخش هسته ß پپتید خروجی CßhCG آمر و همکارانش
1985 ساختار دیگر واحد فرعی α آزاد hCG بلیت و همکارانش
1986 نقشه ژن های hCG و LH پولیکاسترو و همکارانش
1987 HCG نشانه ای بارداری است بوگارت و همکارانش
1987 اثبات اینکه غده هیپوفیز hCG را در حین چرخه قاعدگی تولید میکند اودل و همکارانش
1987 کشف ساختار کربوهیدرات مرتبط با O کول ال. اِی.
1988 کشف hCG شکافته شده نیشیمورا و همکارانش
1989 کشف گیرنده LH/hCG و حالت عملکرد آن آسکولی و همکارانش
1989 کشف گیرنده LH/hCG و حالت عملکرد آن مک فارلاند و همکارانش
1992 کشف عملکردهای زیستی چندگانه برای hCG لی و همکارانش
1994 کشف ساختار سه بعدی hCG لاپتورن و همکارانش
1996 کشف اینکه همه سرطان ها ملکول وابسته به hCG را تولید میکنند اسودو و همکارانش
1996 کشف hCG سولفاته تولید شده توسط فعالیت زیستی مخاطی بیرکن و همکارانش
1998 کشف اینکه hCG هایپرگلیکوسیلیت آزاد ß عملکرد جداگانه ای با hCG دارد او کانر و همکارانش
2000 کشف اینکه سلول سرطانی hCG آزاد ß عملکرد جداگانه ای با hCG دارد بالتر و همکارانس
2003 انتشار استانداردهای hCG بیرکن و همکارانش
2006 کشف hCG هایپرگلیکوسیلیت بعنوان یک ملکول مستقل از hCG کول و همکارانش
2008 کشف نقش hCG در تکامل انسان کول و همکارانش
2011 کشف اینکه hCG هایپرگلیکوسیلیت ،hCG آزاد ß و هایپرگلیکوسیلیت آزاد ß تحریک کننده های سرطانی هستند کول و همکارانش

بیشتر ملکول های وابسته به hCGاز گردش توسط کبد جدا می گردند. 78 درصد ملکول های وابسته به hCG توسط کبد انسان پاک سازی می گردد. بطور کلی کبد و سیستم پاک سازی بخش هسته ß ادراری کلیه ای و همه ملکول های وابسته به hCG با هم عمل میکنند.
ارزیابی ایمن سنجی آنزیم hCG شامل 12 ارزیابی سکوی مورد استفاده توسط همه آزمایشگاه های بالینی در سراسر جهان می باشد.

جدول 2 خصوصیات گونه های مستقل hCG

البته جالب است که این ارزیابی های خودکار چطور این حدود ناهمگنی با وجود 240 گونه hCG در خون انسان شناسایی میکنند. بطور کلی همه ارزیابی ها بطور مناسب hCG ها را شناسایی میکنند ، و hCG های شکافته شده را شناسایی نمی کنند. تنها استثنا اینست که ما از سیستم های ایمولیت hCG آگاه هستیم. اینها فقط ارزیابی هایی هستند که همه این گونه های اصلی hCG را شناسایی میکنند.
بطور خلاصه ،hCG یک ملکول خیلی همگن است. این مقاله این ملکول ها را بطور کامل بررسی می کند. با اینکه hCG مسلماً هورمون کلیدی در بارداری است ، اما گونه های مانند hCG سولفاته نیز برای عملکردهای مخاطی مهم هستند. hCG آزاد ß و هایپرگلیکوسیلیت ظاهراً تحریک کننده های کلیدی در بیولوژی انسان هستند.
2. hCG و hCG هایپرگلیکوسیلیت ، رشد قدرتمند ، عوامل انگیوژنیک و تهاجم که بارداری انسان را تحریک میکنند
hCG و hCG هایپرگلیکوسیلیت اندروین و اتوکرینی هستند که بارداری را کنترل می کنند. از 5 گونه hCG ، فقط این دو بر روی جنبه های مختلف بارداری تأثیر می گذارند. البته بارداری همیشه توسط تست hCG شناسایی می گردد. شکل 1 سطوح الگاریتمی هورمون hCG و hCG هایپرگلیکوسیلیت اتوکرین تولید شده در حین بارداری را نشان می دهد. سلول های جفتی اولیه یا سلول های ریشه ، سلول های تک هسته ای سیتو تروفوبلاست هستند. این سلول hCG هایپرگلیکوسیلیت را تولید میکند. این سلول ها تشکیل سلول های سینسیتیو تروفوبلاست چند هسته ای تفکیک شده را ترکیب می کنند. این سلول های تفکیک شده hCG را تولید میکنند. جفت جدید در سراسر مسیر بارداری ایجاد می گردد بطوریکه سلول های سیتو تروفوبلاست جدید با hCG هایپرگلیکوسیلیت تولید می گردند و سپس با هم ترکیب می شوند تا سلول هایی را ایجاد کنند که تولید کننده hCG هستند. درنتیجه ،hCG و hCG هایپرگلیکوسیلیت در سراسر دوره بارداری تولید می گردند.

شکل 1 غلظت متوسط سرم از hCG کلی و hCG هایپرگلیکوسیلیت که در دوره بارداری تولید شده اند

hCG هایپرگلیکوسیلیت 73 درصد hCG کلی را در 4 هفته ، 50 درصد hCG کلی را در 6 هفته و 10 درصد hCG هایپرگلیکوسیلیت را سه ماهه سوم بارداری تشکیل می دهد. هم hCG و هم hCG هایپرگلیکوسیلیت در حدود هفته دهم بارداری به اوج خود می رسند. hCG تنها ملکولی است که تاحد زیادی قابل تحریک است. سطوح hCG هایپرگلیکوسیلیت در مقدار اوج خود به حدود یا 1500 برابر می رسد. hCG و hCG هایپرگلیکوسیلیت در مقدار اوج خود تا حد زیادی کاهش غلظت پیدا میکنند. سطوح hCG و hCG هایپرگلیکوسیلیت بین بارداری افراد مختلف تا حد زیادی متغیر است. در بارداری هفته چهارم سطوح hCG کلی ممکن است از 2.0 تا یا 888 برابر متغیر باشد ، در هفته پنجم بارداری سطوح hCG می تواند از 11 تا یا 700 برابر متغیر باشد و در هفته ششم بارداری می تواند از 8.4 تا یا 820 برابر متغیر باشد. تغییر از تعیین تاریخ های متغیر بارداری ها ناشی می گردد. مسئله دیگری که باعث تغییر زیادی در سطوح hCG می شود اینتس که بارداری افراد مختلف ،hCG را بصورت های گوناگون افزایش می دهد. در بعضی از بارداری ها سلول ها hCG کلی را در بارداری اولیه به انداز 1.52 برابر در روز تقویت می کنند ، و در یک بارداری دیگر hCG ممکن است به اندازه 2.92 برابر تقویت گردد. یک عامل اصلی جداگانه دیگر مربوط به اینست که اطمینان حاصل کنیم که همه بارداری ها طبیعی هستند و اینکه فعالیت های زیستی بحرانی hCG می توانند این تغییرات گسترده را اصلاح کنند. بر اساس تئوری گیرنده یدکی ، وقتی که نسبت کوچکی از گیرنده ها فعال می گردد ، ممکن است واکنش سلولی مشابهی در مقایسه با زمانی ایجاد کند که همه گیرنده ها فعال هستند. این بعلت تراز ثابت در گیرنده پروتئین G و واکنش AMP دوره ای استو همچنین ، تولید پروژسترون کم در واکنش به غلظت های بالای hCG می تواند توسط تنظیم سازی توضیح داده شود. غلظت های بالای hCG تعداد گیرنده ها بر روی سلول ها را با کاهش میزان کپی برداری گیرنده کاهش می دهد. این میتواند توضیحی برای تولید کم پروژسترون در زنان باردار با سطوح hCG کلی بالا باشد. ساختار سه بعدی hCG در شکل 2 نشان داده شده است. همانطور که نشان داده شده است ، 145 اسید آمینه واحد فرعی ß خود را در 92 اسید آمینه واحد فرعی α به شیوه غیر کووالانسی تا میکند.

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله  16  صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

کتاب Medical Microbiology The big pictures زبان اصلی

اختصاصی از فی ژوو کتاب Medical Microbiology The big pictures زبان اصلی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

کتاب Medical Microbiology The big pictures زبان اصلی

Get the Big Picture of Medical Microbiology-and zero-in on what your really need to know to ace the course and board exams and prepare for clinical rotations!

حجم فایل: 17 مگابایت