بررسی انواع منابع تغذیه سوئیچینگ و شبیه سازی مبدل DC-DCباک (باقابلیت ویرایش و دریافت فایل وورد Word)تعداد صفحات 76

اختصاصی از فی ژوو بررسی انواع منابع تغذیه سوئیچینگ و شبیه سازی مبدل DC-DCباک (باقابلیت ویرایش و دریافت فایل وورد Word)تعداد صفحات 76 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ایده منابع تغذیه سوئیچینگ در سال 1970 توسط مهندسان الکترونیک مطرح گردید که در ابتدای امر از بازدهی پایینی برخوردار بود ولی در مقایسه با باتریها و منابع تغذیه آنالوگ وزن و حجم کوچکتر ولی در عین حال توان بالایی داشتند.

در طرحهای نخستین منابع تغذیه از عناصر ابتدایی نظیرBJT  استفاده می شد که این خود باعث کاهش راندمان چیزی درحدود 68%می شد. امروزه منابع تغذیه سوئیچینگ جایگاه خاصی در صنعت برق و الکترونیک و مخابرات یافته اند و بدلیل برتریها و مزایای زیادی که نسبت به دیگر منابع تغذیه دارامی باشند توجه صنعتگران ومهندسان برق را به خود معطوف کرده اند تا جایی که گروهی از مهندسان الکترونیک در بهبود و کاراییها و کیفیت آنها تحقیقات گسترده ای انجام داده اند البته نتیجه این تلاشها پیشرفت روزافزونی است که در ساخت این سیستمها  پدید آمده است. البته پیشرفت درتکنولوژی ساخت قطعات نیز تاثیربسزایی درمنابع تغذیه سوئیچینگ داشته است.

با پیداش ماسفتهای سریع و پرقدرت تلفات ترانزیستوری بطور چشمگیری کاهش پیدا کردوعمده تلفات در ترانسها خلاصه شد که برای غلبه بر این مشکل فرکانس کاری مدار را تا حد MHZ1 افزایش دادند.   بنابراین در اصل سعی شده تا درانجام تحقیق از آخرین فن آوریهای روز استفاده شود. امید آنکه مورد قبول محققان و مهندسان این رشته واقع شود.

مقایسه منابع تغذیه سوئیچینگ با منابع تغذیه خطی:

بنا برکاربرد منابع تغذیه انتخاب بین منابع تغذیه خطی یا سوئیچینگ صورت می گیرد که هر یک دارای مزایا و معایب نسبت به یکدیگر می باشند که در ذیل به آنها اشاره می شود.

مزایای منابع تغذیه خطی:

1- طراحی مدارات بسیار ساده صورت می گیرد.

2- قابلیت تحمل بار زیاد

3- تولید نویز ناچیز و نویزپذیری بسیار اندک

4- در کاربردهای توان پایین ارزانتر می باشند.

5- زمان پاسخ دهی بالایی را دارند.

مزایای منابع تغذیه سوئیچینگ:

1- وزن و حجم کمتری را نسبت به منابع تغذیه خطی دارند.

2- بالا بودن راندمان از68% تا 90%

3- داشتن مقدار بیشتری سطح ولتاژ در خروجی

4- بدلیل افزایش فرکانس کاری اجزای ذخیره کننده انرژی می توانند کوچکتر و درعین حال با کارایی بیشتری عمل کنند.

5- در توانهای بالا استفاده می شوند.

6- کنترل آسان خروجی با استفاده از قابلیتهای مدارات مجتمع

معایب منابع تغذیه خطی:

تمام مزایایی که درمنابع تغذیه سوئیچینگ گفته شد عیبهای بود که درمنابع تغذیه خطی وجود

 داشت و علاوه بر آن:

1- بدلیل کم بودن بهره توان تلفاتی در ترانزیستورهای خروجی زیاد می باشد که درنتیجه نیاز به خنک کننده سیستم سرمایش تحت فشار می باشد.

فرمت فایل :Word ورد doc

تعداد صفحات :76

مقاله ترجمه شده تحلیل نیروهای الکترومغناطیسی در مبدل ها

اختصاصی از فی ژوو مقاله ترجمه شده تحلیل نیروهای الکترومغناطیسی در مبدل ها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله ترجمه شده تحلیل نیروهای الکترومغناطیسی در مبدل های توزیع تحت خرابی های مدار-کوتاه داخلی مختلفچکیده
خرابی های مدار کوتاه داخلی علت اصلی شکست های مبدل نیرو هستند. خرابی ها اگر بسرعت شناسایی نگردند، معمولاً به خرابی های جدی تبدیل می گردند که منجر به آسیب های برگشت ناپذیری به مبدل و متوقف سازی های غیرمتوقبه و هزینه های متعاقب خواهند شد. خرابی های مدار کوتاه داخلی ممکن است منجر به جریان شدیدی در فازهای کوتاه و مارپیچ های کوتاه گردد. افزایش جریان باعث افزایش نیروی الکترومغناطیسی در سیم پیچ های مبدل می شود. نیروهای الکترومغناطیسی گذرا در مسیرهای محوری و شعاعی، فشار مکانیکی بحرانی سیم پیچ ها و مبدل ها را تحریک می کند. در این مقاله ما نیروی الکترومغناطیسی شعاعی و محوری را در نوع مبدل هسته سه مرحله ای تحت خرابی های مدار کوتاه داخلی مختلف محاسبه میکنیم. ما همچنین تأثیر موقعیت و شدت خرابی کوتاه داخلی بر روی نیروی محوری و شعاعی را بررسی میکنیم. برای محاسبه نیروها در مبدل خرابی، از روش عناصر اجزای محدود گام زمانی (TSFE) استفاده می کنیم.
کلمات کلیدی: مبدل توزیع، نیروی شعاعی و محوری الکترومغناطیسی، مدار کوتاه سه مرحله ای

مقدمه
مبدل های قدرت از مؤلفه های مهم و باارزش انتقال انرژی و فرآیند توزیع برای کاربردهای الکتریکی هستند. درصد خرابی های مختلف در مبدل های توزیع در شکل 1 نشان داده شده است. می توان گفت که حدود 33 درصد شکست ها بعلت خرابی در سیم پیچ ها هستند.

شکل 1 توزیع شکست معمول برای مبدل ها

وقتی که مبدل تحت خرابی های مدار کوتاه داخلی باشد، ممکن است منجر به افزایش جریان در مارپیچ های کوتاه گردد. با تغییر نوع خرابی های مدار کوتاه داخلی، مانند گردش به گردش ولتاژ بالا (HV)، گردش به گردش ولتاژ پایین (LV)، لایه به لایه، بین HV و LV، و غیره، شدت جریان مدار کوتاه داخلی را می توان تغییر داد، وقتی که مبدل مطیع یک شرایط مدار کوتاه داخلی می گردد، نیروهای الکترومغناطیسی که در مبدل افزایش می یابد به داخل سیم پیچ ها وارد می گردد. نیروهای گذرا باعث آسیب های مکانیکی جدی می گردند که ممکن است مبدل را خم کند یا خراب کند و یا حتی باعث انفجار آن شود. بنابراین طراحی مبدل های توزیع که یک دستگاه اصلی و کلیدی در سیستم های قدرت الکتریکی است، بخاطر نتایج خرابی آنها برای تعمیر یا جایگزینی پرهزنیه، حائز اهمیت زیادی است. اینکار ممکن است منجر به تلفات قدرت الکتریکی با هزینه بالایی گردد. قبل از نصب مبدل در سیستم قدرت الکتریکی، نیروی الکترومغناطیسی بخاطر جریان مدار کوتاه داخلی باید برای عملیات ایمن پیش بینی گردد.
تعدادی از مقالات نیروی الکترومغناطیسی را تحت خرابی مدار کوتاه مبدل بررسی میکنند. Hyun-mo Ahn تأیید تجربی و تحلیل عناصر متناهی نیروی الکترومغناطیسی تک فاز را معرفی کرد. در منبع شماره 5 تحلیل مدار کوتاه برای مبدل سیم پیچ-دونیم با استفاده از راهکار مدار-میدان جفت شده معرفی می گردد. و منبع 6 به تحلیل عناصر دو بعدی و سه بعدی نیروی مدار کوتاه برای مبدل قدرت نوع هسته ای می پردازد. در منبع 6 شرایط مدار کوتاه در یک مبدل قدرت بزرگ تحلیل شده است و این نتیجه گیری بیان شده است که نیروی محوری داخلی در هر دو قسمت پایانی سیم پیچ بزرگتر از نیروی محوری داخلی در قسمت های میانی سیم پیچ است. در منبع 2 رفتار مبدل در مدارهای کوتاه داخلی مختلف بررسی می گردد.
در این مقاله، از روش اجزای محدود برای محاسبه نیروهای الکترومغناطیسی گذار استفاده شده است که در سیم پیچ های مبدل توزیع تحت مدارهای کوتاه داخلی مختلف عمل میکنند. ما یک مبدل 200 KVA فاز را انتخاب کردیم و خرابی های داخلی مختلف را در سیم پیچ مدلسازی کردیم. برای محاسبه دقیق نیروی الکترومغناطیسی تحت مدار های کوتاه داخلی مختلف، سیم پیچ HV به 110 بخش و سیم پیچ LV به 20 بخش تقسیم می گردد.
مدلسازی اجزای محدود مبدل خرابی
یک مبدل نوع هسته ای سه پایه سه مرحله ای توسط بسته FE دو بعدی بردار مدلسازی می گردد. در این مقاله نرام افزار ماکسل برای مدلسازی مبدل مورد استفاده قرار می گیرد.
خصوصیات مبدل پیشنهادی در جدول 1 معرفی شده است. شکل 2 طرح مبدل مدل را نشان میدهد. در این مدل، هسته با ابعاد واقعی دقیق مشابه با هسته واقعی مبدل آزمایشگاهی مدلسازی می گردد. سیم پیچی های HV و LV نیز با ابعاد واقعی مدلسازی می گردند. برای توصیف دقیق رفتار مبدل، مدل مخزن با ابعاد واقعی نیز مد نظر قرار داده می شود. همه ابعاد مبدل از مبدل آزمایشگاهی بدست می آید. از خصوصیات مغناطیس پذیری ماده هسته فراهم شده توسط شرکت تولید کننده استفاده شده است.

جدول 1 خصوصیات مبدل

بخاطر حجم متفاوت چگالی گدازا در هر بخش از هسته، برای محاسبه دقیق نیروی الکترومغناطیسی تحت مدار های کوتاه داخلی مختلف، سیم پیچ های HV به 110 قسمت و سیم پیچ های LV به 20 قسمت تقسیم می گردند؛ و سپس نیروی الکترومغناطیسی شعاعی و محوری در هر قسمت از سیم پیچ ها محاسبه می گردد.

شکل 2 مدلسازی مبدل

در مسئله دو بعدی بررسی شده در اینجا برای تحلیل گذرای مبدل، میدان الکترومغناطیسی و راهکار مدار جفتی بر مبنای فرمول A-V-A داده شده است. از معادلات ماکسل، محاسبه میدان مغناطیسی در بخش متقاطع مبدل بر مبنای فرمول A-V-A دو بعدی با معیار کولن، منجر به معادله زیر می گردد

که A پتانسیل بردار مغناطیسی، چگالی جریان منبع، نفوذپذیری مغناطیسی، رسانایی الکتریکی و معیار کولن است. بطور کلی، تحلیل گذرای مبدل دو قسمت اصلی دارد: فرمول FE الکترومغناطیسی و ارتباط های مدار خارجی. هر بخش معادلات ماتریس خاص خود را دارد که جفت شده اند و بصورت همزمان در هر گام زمانی حل می شوند و به ما اجازه می دهند که رفتار دینامیک گذرای مبدل را مدلسازی کنیم. همانطور که در بخش های بعدی مشخص می گردد، وقتی که یک خرابی داخلی در سیم پیچ های مبدل رخ میدهد، توزیع میدان مغناطیسی داخل مبدل و همچنین مقادیر نهایی در دامنه مدار اساساً تغییر میکند. البته چون معادلات ماکسل رفتار فیزیکی هر سیستم الکترومغناطیس را صرفنظر از نوع و شرایط سیستم توصیف میکنند، رفتار مبدل خرابی برای معادلات ماکسل مناسب است و حل میدان مغناطیسی در مبدل خرابی کاهش داده می شود تا این معادلات حاکم بر مدار-میدان جفت شده را حل کند. اصول بکار رفته برای مدلسازی خرابی سیم پیچی داخلی اینست که سیم پیچ را به دو بخش تقسیم کنیم: بخش مدار کوتاه و مارپیچ های باقیمانده در مدار. شکل 3 مدار مطابق و نمایش دامنه FE مارپیچ مبدل را نشان میدهد، با فرض اینکه یک خرابی داخلی در فاز B از سیم پیچ های ولتاژ بالای مبدل (HV) وجود دارد.

شکل 3 مدل سیم پیچ مبدل

برای اعمال خرابی داخلی، لازم است که دامنه هندسی و همچنین مدانه مدار در FEM را تغییر دهیم. همانطور که در شکل 3 نشان داده شده است، مقاومت خرابی محدودکننده (Rf) برای آغاز خرابی بر روی سیم پیچ بکار برده می شود. شدت خرابی را می توان توسط مقادیر مختلفی از مقاومت خرابی در حلقه مدار کوتاه کنترل کرد. در واقع، مقاومت خرابی نشاندهنده مؤلفه مقاومتی ماده دی الکتریک در مدل مدار موازی معادل دی الکتریک گردش های کوتاه است. مسلماً شدت خرابی نه تنها به مقدار شدت جریان بستگی دارد، بلکه به تعداد گردش های کوتاه نیز بستگی دارد. بنابراین با FEM توسعه یافته مبدل، خرابی های داخلی با شدت و سطوح مختلفی در موقعیت های مختلف در سیم پیچ ها شبیه سازی می گردند.

شکل 4 جریان HV در حالت پایدار

شکل 5 جریان LV در حالت پایدار

شکل 6 سنجش آزمایش

جدول 2 مقایسه شبیه سازی با نتیجه آزمایشی

تایید مدل
شکل های 4 و 5 جریان LV و HV مبدل در حالت پایدار را نشان میدهد. برای تأیید نتیجه شبیه سازی با جریان نتیجه آزمایشی، ولتاژ و شدت گدازا در آزمایشگاه اندازه گیری می شود. شکل 6 مبدل را در آزمایشگاه نشان میدهد. نتیجه آزمایشی و شبیه سازی در جدول 2 با هم مقایسه شده است.
تحلیل نیروی الکترومغناطیسی جریان های کوتاه داخلی مختلف
برآورد گدازای نفوذ (شاره هرز)
وقتی که مبدل قدرت در حالت پایدار کار میکند، چگالی گدازا آهن و جریات در سیم پیچ ها نزدیک به رژیم اسمی است. اما زمانیکه در مدار کوتاه داخلی اتفاق بیفتد، جریان مدار چندین برابر از جریان اسمی بزرگتر خواهد بود.

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   13 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

کتاب مقدمه ای بر تحلیل تنش و طراحی مبدل ها با استفاده از کرنش سنج

اختصاصی از فی ژوو کتاب مقدمه ای بر تحلیل تنش و طراحی مبدل ها با استفاده از کرنش سنج دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

در بیشتر اوقات لازم است در مراکز صنعتی و کارگاه ها نیروهایی که بر یک جسم وارد می شود را اندازه بگیریم. مثلا برای کنترل پایداری یک پل که هر روز هزاران هزار اتومبیل از روی آن می گذرند باید میزان نیروهایی که بر آن وارد می شوند را حساب نماییم. برای اندازه گیری نیروهای وارد بر یک جسم از مبدل هایی استفاده می شود که نیروسنج نام دارند. وقتی بر جسمی نیرو وارد می گردد تنش (Stress) و کرنش (Strain) ایجاد می شود. تنش معرف مقاومت درونی جسم در مقابل نیرو است و کرنش در حقیقت بیانگر جابجائی و تغییر شکل جسم می باشد. استرین گیج (Strain Gauge) یا کرنش سنج در واقع برای اندازه گیری کرنش و تغییرات فیزیکی ناشی از اعمال فشار بر جسم طراحی گردیده است و معمولا استرین گیج ها را از سیم هایی با جنس مس نیکل می سازند و به شکل رفت و برگشت روی پلاستیک های مقاومی می چسبانند. ابعاد استرین گیج ها از چند میلی متر مربع تا چند سانتی متر مربع است و دارای مقاومتی از چند ده تا چند هزارم اهم می باشند. استرین گیج ها در اندازه گیری فشار، وزن در لودسل، گشتاور در ترک متر و همچنین سنسورهای موقعیت به وفور مورد استفاده قرار می گیرد. برای اندازه گیری تغییرات مقاومتی سنسور استرین گیج از پل وتسون استفاده می گردد...

کتاب مقدمه ای بر تحلیل تنش و طراحی مبدل ها با استفاده از کرنش سنج ها (An Introduction to Stress Analysis and Transducer Design using Strain Gauges)، توسط شرکت HBM گرد آوری شده است و به گونه ای کاربردی و علمی به مبحث  تحلیل تنش و طراحی مبدل ها (Transducer) با کرنش سنج ها (Strain Gauge) پرداخته شده است. این کتاب مشتمل بر 262 صفحه، در 9 فصل، به زبان انگلیسی، همراه با تصاویر به ترتیب زیر گردآوری شده است:

Chapter 1: Introduction

• Metal strain gages
• Semiconductor strain gages
• Vapor-deposited (thin-film) strain gages
• Capacitive strain gages
• Piezoelectric strain gages
• Photoelastic strain gages
• Mechanical strain gages
• Other systems
• The operating principle of the strain gage
• Metal strain gages
• Semiconductor strain gages
• The measurement system

Chapter 2: Terms and units of measurement used in strain gage technology

• Strain: Definition and unit of measurement
• Absolute change of length
• Relative change of length or strain
• Unit of measurement for strain
• Mechanical stress: Definition and unit of measurement
• Normal stress
• Shear stress
• Residual stress, thermal stress
• Stress states
• Material parameters
• Modulus of elasticity, definition and units
• Shear modulus
• Poisson's ratio
• Thermal expansion
• Strain gage loading
• Static measurements - zero referenced
• Quasi-static measurements
• Dynamic measurements - non-zero referenced

Chapter 3: Selection criteria for strain gages

• Range of application
• Stress analysis, model measurement techniques, biomechanics
• Transducer construction
• Types of strain gages
• Length of measuring grid
• Homogeneous field of strain
• Inhomogeneous strain field
• Dynamic strain conditions
• Multiple strain gages, their advantages and fields of application
• Strain gage chains for the determination of stress gradients
• Strain gage rosettes for the determination of stress conditions
• Strain gage rosettes for the investigation of residual stress
• Special strain gages
• Weldable strain gages
• Free-grid strain gages, high-temperature strain gages
• Weldable high-temperature strain gages
• Electrical resistance
• Useful temperature range
• Technical data
• Strain gage sensitivity (gage factor) for metal strain gages
• Gage factor for semiconductor strain gages
• Transverse sensitivity
• Temperature response of a mounted strain gage
• Temperature compensated strain gages
• Thermal drift
• The dependence of sensitivity on temperature
• Static elongation
• Dynamic strain measurement
• Continuous vibration characteristics
• The cut-off frequency
• Electrical loading
• Creep
• Mechanical hysteresis
• Environmental influences
• Temperature
• Humidity
• Hydrostatic pressure
• Vacuum
• Ionizing radiation
• The effects of ionizing radiation on strain gage measuring points
• Magnetic flelds
• Storage

Chapter 4: Materials used for mounting strain gages

• Strain gage bonding materials
• Mounting materials
• Cleaning agents
• Soldering agents
• Soldering devices
• Solders and fluxing agents
• Connection methods
• Solder terminals
• Lead material
• Methods of testing
• Visual inspection
• Electrical continuity
• Insulation resistance
• Protection of the measuring point

Chapter 5: The Wheatstone bridge circuit

• The circuit diagram of the Wheatstone bridge
• The principle of the Wheatstone bridge circuit
• Bridge excitation and amplification of the bridge output voltage

Chapter 6: Calibrating measurement equipment

• The operating principle of the compensation and calibration devices on a measuring amplifier
• Calibration using the calibration signal from the measuring amplifier
• Shunt calibration
• Calibration with a calibration unit
• Taking account of gage factors with a value other than 2

Chapter 7: The reduction and elimination of measurement errors

• Compensation of thermal output
• Compensation for thermal output using a simple quarter bridge circuit
• Thermal output of a quarter bridge in a three-wire configuration
• Temperature compensation of a quarter bridge with compensating
  strain gages
• Compensation of thermal output with the double quarter or diagonal
  bridge
• Compensation for thermal output using the half bridge circuit
• Compensation for thermal output with the full bridge circuit
• The influence of lead resistances
• Simple quarter bridge circuit
• Quarter bridge in a three-wire circuit
• Quarter bridge with compensating strain gage
• Double quarter or diagonal bridge
• Half bridge circuit
• Full bridge circuit
• Error correction using the gage factor selector
• Eliminating cable effects with special circuits in the measuring amplifier
• HBM bridge
• The six-wire circuit
• The influence of cable capacitances
• Capacitive unsymmetry
• Phase rotation
• Correction of the transverse sensitivity of a strain gage
• Corrections for individual measuring grids
• Correction for strain gage rosettes
• X rosettes
• Rosettes

Chapter 8: Hooke’s Law for the Determination of Material Stresses from Strain Measurements

• The uniaxial stress state
• The biaxial stress state
• The biaxial stress state with known principal directions
• The biaxial stress state with unknown principal directions
• Measurements with the 0°/45°/90° rosette
• Measurements with the 0°/60°/120° rosette
• The determination of the principal directions
• Other ways of determining the principal normal stresses and their
  directions
• Mohr's Stress Circle
• Determination of residual stresses according to the drill-hole method
• Strain measurements and stress analysis for various loading cases
• Measurement on a tension/compression bar
• Measurements on a bending beam
• Symmetrical and asymmetrical cross-sectional beams loaded with both an axial force and a bending moment
• Measurements on a shaft under torsion - twisted shaft
• Transferring the measuring signal from rotating shafts
• Measurement on a twisted shaft with superimposed axial force and
  bending moment
• Measurements on a shear beam
• Measurement of thermal stresses
• Comparison of measurements on a free and on a restrained object
• Measurement with a compensating piece
• Separate or later determination of the thermal output

Chapter 9: Measurement accuracy

• Causes of measurement errors
• Calculating the degree of random deviation in a measurement series
• Test requirements
• The Gaussian distribution
• Arithmetical mean
• standard deviation s and coefficient of variance v
• Confidence limits and confidence range for the expected value μ
• Measurement uncertainty u
• Measurement result

جهت خرید کتاب مقدمه ای بر تحلیل تنش و طراحی مبدل ها با استفاده از کرنش سنج ها (An Introduction to Stress Analysis and Transducer Design using Strain Gauges) به مبلغ استثنایی فقط 3000 تومان و دانلود آن بر لینک پرداخت و دانلود در پنجره زیر کلیک نمایید.

!!لطفا قبل از خرید از فرشگاه اینترنتی کتیا طراح برتر قیمت محصولات ما را با سایر محصولات مشابه و فروشگاه ها مقایسه نمایید!!

!!!تخفیف ویژه برای کاربران ویژه!!!

با خرید حداقل 10000 (ده هزارتومان) از محصولات فروشگاه اینترنتی کتیا طراح برتر برای شما کد تخفیف ارسال خواهد شد. با داشتن این کد از این پس می توانید سایر محصولات فروشگاه را با 20% تخفیف خریداری نمایید. کافی است پس از انجام 10000 تومان خرید موفق عبارت درخواست کد تخفیف و ایمیل که موقع خرید ثبت نمودید را به شماره موبایل [phone] ارسال نمایید. همکاران ما پس از بررسی درخواست، کد تخفیف را به شماره شما پیامک خواهند نمود.

پایان نامه کاربردهای مبدل اطلاعات

اختصاصی از فی ژوو پایان نامه کاربردهای مبدل اطلاعات دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*



فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)



تعداد صفحه:90

فهرست

فصل اول

- اصول ADC های                                                                          1

- ملاحضات آهنگ بی بار (سوت ساکن)                                             17

فصل دوم (کاتربرد های مبدل اطلاعات)                                              

- دقت اندازه گیری وضعیت سنسور                                                        20

- مقدمه                                                                                         20

- کاربردهای دقت اندازه گیری EDADC                                            25                                    

- تحلیل طراحی سنجش مقیاس (ترازوی دیجیتال) ADC AD7730          33

- وضعیت ترموکوپل مورد استفاده AD7793                                         49

- اندازه گیری دیجیتال مستقیم دما                                                     54

- سنسورهای دمای فرعی میکروپرسسور                                               64

- کاربردهای ADC ها در دستگاه های اندازه گیری توان                           72

فصل سوم AD7730/AD7730L

- کاربردها                                                                                    79

- تحریک DC  پل                                                                       80

- تحریک AC  پل                                                                         85

- تحریک دو قطبی پل                                                                    89

ضمیمه                     Data sheet

منابع

« مقدمه»

اندازه گیریΔ-∑ با تفکیک(وضوح)بالا ADC عرصۀ وسیعی از وضعیت 30 سیگنال سنسور دقت وتحصیل اطلاعات رادگرگون کرد. Δ-∑ ADCهای مدرن حالت تفکیک بدون از دست دادن کدبدون نویز 24بیت وبیشتراز19بیت را پیشنهادمی کنند .

اتصال PGAهای یک تکه(on-chip) با تفکیک بالا واقعا نیازبه حالت مداری سیگنال را رفع می کند-سنسور دقت میتواند مستقیما با ADC در حالتهای متعددی قرار بگیرد.

         چنانچه در فصل3 این کتاب به تفضیل مورد بحث قرارگرفت.معماری Δ-∑بسیار دیجیتالی است ، بنابراین بالنسبه جمع مشخصات قابل برنامه ریزی وانعطاف پذیری بیشتردر کاربردهای آنها آسان است.میزان(سرعت) فرکانس قطع فیلتر میان گذردیجیتال ، تقویت PGA ،انتخاب کانال ، برش وروش های کالیبراسیون فقط تعدادی از ویژگی های امکان پذیر هستند.یکی از مزایای فیلتر دیجیتال یک تکه( on-chip) شکاف های آن است که می تواند برنامه ای برای تامین مطلوبHz 60/50

         بازپس دان منبع تغذیه ارائه دهد. بعلاوه ، هنگامیکه ورودی به یک ADC Δ-∑ بیشترازحد نمونه است،نیاز به فیلتر بدون دوگانگی(antialiasing) ابداً به سختی حالت ADCهای نوع قدیمی مدل نایکوئیست نیست.حالت عادی بازپس دادن همچنین نتیجۀ استفادۀ وسیع ازورودیهای مرجع و آنالوگ گوناگون است.یک مزیت مهم Δ-∑ ADCها این است که آنها بطور نمونه درفرایندهای CMOS طراحی می شوند، بنابراین آنها نسبتاً ارزان قیمت هستند.

دانلود پایان نامه و تحقیق در مورد مبدل های نوری جریان‎ (با قابلیت ویرایش/ فایل Word)تعداد صفحات 21

اختصاصی از فی ژوو دانلود پایان نامه و تحقیق در مورد مبدل های نوری جریان‎ (با قابلیت ویرایش/ فایل Word)تعداد صفحات 21 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

شرح مختصر : برای سنجش جریان تأسیسات فشار قوی و خطوط انتقال نیرو، سنجش خطا و… می توان از مبدل های نوری جریان استفاده نمود. این مبدل ها بر اساس اصول و قوانین فیزیکی عمل می نمایند و به عنوان جایگزین CT   های معمولی مطرح گردیده اند. گرفته است. همچنین برخی از انواع مختلف چنین مبدل هایی معرفی شده اند و ویژگی های عملکردی آنها در مقایسه با ترانسفورماتورهای جریان معمولی و نسل جدید CT ها مورد ارزیابی قرار گرفته است .

فهرست :

مقدمه

فصل اول : کلیات

هدف

سیستم های مبدل جریان سنتی

سیستم های مبدل جریان نوری

هسته مغناطیسی و سنجش نوری

توده فعال نوری پیرامون هادی

فیبر نوری پیرامون هادی

حسگر شاهد

چرا سیستم های مبدل جریان نوری

فصل دوم : اصول و مبانی سنجش نوری

سنجش جریان از طریق اندازه گیری میدان مغناطیسی

سنجش نوری جریان نوری جریان و میدان الکترو مغناطیسی

شرحی بر پلاریزاسیون (قطبش امواج )

انواع قطبش

حالت قطبش

فصل سوم : پدیده اثر فارادی

اثر فاردی چیست

شرح عملکرد

کاربرد های اثر فارادی

فصل چهارم: مبدل های جریان تمام نوری

اصول اندازه گیری جریان در otc ها

محاصبه چرخش فارادی

انواع سنسور های تمام نوری جریان

سنسور های سنتی

سنسور های جدید سولنئیدی

طراحی و شبیه سازی

نرم افزار comsol

شبیه سازی

شبیه سازی ساختار سنتی

شبیه سازی ساختار سرسنجش گر سولنئیدی

رابطه بین اثر فاردی و تست جریان

مزیت های مبدل های نوری جریان و قیاس روشها

فصل پنجم : نتیجه‌گیری و پیشنهادات

نتیجه گیری

پیش نهاد

منابع و ماخذ

تعداد صفحات 21

فرمت فایل : Word