دانلود مقاله کارت هوشمند

اختصاصی از فی ژوو دانلود مقاله کارت هوشمند دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقدمه:

وصفی که می توان در مورد کارت هوشمند بکار برد “کلیدی برای دهکده جهانی”‌ است. کارت هوشمند موجب ایجاد تغییرات بس عظیمی در چرخه دریافت و ارسال اطلاعات و روشی برای پرداخت وجوه گشته است. کارت های هوشمند تأثیر ژرفی در فروش و ارائه خدمات نهاده است.

کارت هوشمند همانند یک “کیف پول الکترونیکی” می باشد. این کارت یک کارت اعتباری استانداردی است که با نشانة پلاستیکی هوشمندی آهار زده شده است در بدنه این نشانه پلاستیکی یک میکروچیپ کار گذاشته شده است که عامل هوشمندی این نوع کارتها می باشد. این میکروچیپ نه تنها موجب ایجاد ظرفیت حافظه می شود، بلکه قابلیت محاسبه ای نیز دارد پس بنابراین میکروچیپ قابلیت پردازش اطلاعات را دارد. میکروچیپ دارای رابطه های طلائی می باشند که به وسایل دیگر نیز این قابلیت را می دهد که با آن رابطه برقرار نمایند. این میکروچیپ انواع اطلاعات را در خود حفظ می کند، از ارزش پولی ذخیره شده که برای فروش و ماشینهای فروش استفاده می شوند گرفته تا اطلاعات امنیتی و استعمال برای عملکردهای پیشرفته از قبیل ثبت پزشکی و بهداشتی. اطلاعات و عملکردهای جدید بسته به نوع قابلیت های چیپ به آن اضافه می شوند. برخلاف کارتهای قدیمی که تنها دارای یک نوار مغناطیسی بودند می توان چند صد بار اطلاعات وارد کرد و طوری برنامه ریزی نمود که تنها اطلاعات مربوطه را نمایان سازند. به عنوان مثال، می توان گفت این کارت در معامله ای در یک فروشگاه می تواند نشان دهد که پول کافی در حساب مشتری وجود دارد، بدون اینکه مبلغ پول را نمایان سازد. تلاقی کارت پلاستیکی قدیمی و یک پردازشگر کوچک، موجب شده تا اطلاعات ذخیره گردند، قابلیت دسترسی و پردازش بصورت آنلاین یا آفلاین (با استفاده اینترنت یا بدون استفاده از آن) باشند. نامتشابه به کارتهای پلاستیکی معمولی که توسط دستگاه پردازشگر خوانده نمی شوند، قدرت پردازش این کارتها به آنها قابلیت چند کاره بودن را در هنگام پرداخت وجه می دهد، برای استفاده از طریق موبایل، تلویزیونها و ویدئوی شما و اتصال به کامپیوتری از طریق تلفن، ماهواره یا اینترنت در هر زمان و هر کجا در جهان.

تاریخچه:

اصلیت تاریخی این تکنولوژی در قرن هفدهم در زمانی است که مخترعین آلمانی،‌ ژاپنی و فرانسوی حق ثبت اختراع خود را ارائه دادند. در حالیکه مخترعین در ایالات متحده، ژاپن، استرالیا، جایی که حق ثبت صادر می کردند، فرانسویها با ارائه تکنولوژی، پول خوبی به جیب زدند. آنها این کار را در دهه 1970 انجام دادند که زمان سرمایه گذاری اصلی ملی در مدرنه سازی زیربنای اقتصادی تکنولوژی ملتشان بود.

27 صفحه فایل ورد قابل ویرایش

فهرست مطالب:

مقدمه:
تاریخچه:
ساختار:
امروزه ، سه نوع کارت هوشمند وجود دارد:
1-    کارتهای میکروپردازشگر مدار منسجم (IC)
2-    کارتهای حافظه مدار منسجم (IC) :
کاربردها:
3-    کارتهای حافظه نوری (optical)3
کاربردها:
اصول عملکرد کارت:
فواید:
کاربردهای کارتهای هوشمند:
کاربردهای تلفنی:
مؤثرسازی سرویسهای بهداشتی:
خدمات حمل و نقل خودکار:
اینترنت:
آینده:

دانلود تحقیق تیریستور

اختصاصی از فی ژوو دانلود تحقیق تیریستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تیریستور

تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )
تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .

اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .

حال اگر یک ولتاژ بایاس با یک مدار خارجی برای حمل جریانهای داخلی منظور شود ، این جریان ها شامل قسمتهای زیر خواهند
بود.
جریان ناشی از :
۱-عبور حاملهای اکثریت (حفره ها ) از اتصال

۲-عبور حاملهای اقلیت از اتصال
۳-حفره های تزریق شده به اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه
می یابند اتصال را قطع می کند .
۴-حاملهای اقلیت از اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه یافته و از اتصال عبور کرده است . عیناً نیز از شش قسمت و از چهار قسمت تشکیل خواهد یافت .
برای تشریح اصول کار تیریستور از دو روش متشابه مدلهای دیودی و یا دو ترانزیستوری می توان استفاده کرد .

(الف) مدلهای دیودی تیریستور
تیریستور که یک نیمه هادی سه اتصالی ، شبیه سه دیودی است که به طور سری اتصال یافته اند . اگر دریچه بایاس نشود ولی به دو سر آند و کاتد ولتاژ بایاسی اعمال شود این ولتاژ هر قطبیتی که داشته باشد همواره حداقل یک اتصال معکوس بایاس شده ، وجود خواهد داشت تا از هدایت تیریستور جلوگیری کند .
اگر کاتد توسط ولتاژ منبع تغذیه (نسبت به آند ) منفی شود و دریچه نسبت به کاتد به طور مثبت بایاس شود لایه p دریچه توسط کاتد از الکترون لبریز می شود و خاصیت خودش را به عنوان لایه p از دست می دهد . در نتیجه تیریستور به دیود هدایتی معادلی تبدیل می شود .

(ب)مدل دو ترانزیستوری تیریستور
پولک p-n-p-n را می توان به صورت دو ترانزیستور با دو ناحیه پایه در نظر گرفت . کلکتور ترانزیستور n-p-n ، جریان محرکی برای پایه ترانزیستور p-n-p که جریان کلکتورش اضافه جریان دریچه به مثابه جریان محرک پایه ترانزیستور n-p-n است ، مهیا کند .

برای روشن کردن تریستور جریان دریچه به جزء خیلی حساس ترانزیستور n-p-n از اتصال p-n-p-n اعمال می شود . اولین ده درصد افزایش جریان آند ، در اصل جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n است . پایه n ترانزیستور p-n-p توسط جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n باردار می شود . در نتیجه فیدبک مثبتی توسط جریان کلکتور ترانزیستور p-n-p به منظور افزایش بارهای ایجاد شده در پایه p ترانزیستور n-p-n دایر می شود . به این ترتیب جریان تیریستور شروع به افزایش می کند ، به سرعت به مقدار اشباع می رسد و جریان تیریستور فقط توسط امپدانس بار محدود
می شود .

بهتر است به منظور تشریح مشخصه و خواص تیریستور حالتهای مختلف آن را (از نظر بایاس ) مورد بررسی قرار دهیم .

۱-۲-مشخصات تیریستور
برای اینکه بتوان وسیله های الکترونیکی را با کیفیت کافی مورد استفاده قرار داد و از آنها محافظت کرد بایستی مشخصات و خواص آنها کاملا معلوم شوند . مشخصات تیریستور را می توان با ملاحظه سه حالت مختلف اصلی این وسیله تعیین کرد :
۱- شرایط بایاس معکوس

۲- بایاس مستقیم و مسدود
۳- بایاس مستقیم و هدایت
۱-۲-۱-بایاس معکوس تیریستور (کاتد نسبت به آند مثبت)
در این حالت اتصالات اول و سوم به طور معکوس اتصال دوم به طور مستقیم بایاس می شوند و درست مثل یک اتصال p-n مقدار کمی جریان نشتی از کاتد به آند عبور خواهد کرد .

اعمال ولتاژ محرک مثبتی به دریچه تیریستور در حالی که آند هنوز منفی است سبب می شود که تیریستور رفتاری شبیه ترانزیستور داشته باشد و جریان معکوس نشتی آند تا مقدار قابل ملاحظه مقایسه ای با جریان دریچه افزایش یابد ، از این رهگذر اتلاف قدرت قابل ملاحظه ای در تیریستور وقوع خواهد یافت . زیاد گرم شدن اتصال می تواند سبب افسار گسیختگی حرارتی شود .

جریان آند با جریان اشباع معکوس اتصال اول به اضافه کسری از
جریان دریچه برابر است . جریان اشباع بستگی به درجه حرارت دارد . بنابراین بالا رفتن درجه حرارت اتصال باعث افزایش جریان اشباع می شود که آن نیز موجب گرم شدن بیشتر اتصال می شود . ولتاژ بیشینه دریچه در شرایط بایاس معکوس غالباً توسط سازندگان برای محدود کردن اثر حرارت معین می شود .
افزایش ولتاژ بایاس معکوس باعث پهن شدن لایه های تهی اتصالات اول و سوم می شود . اتصال اول معمولاً بخش اعظم ولتاژ آند به کاتد را مسدود می کند ، لذا منطقه تهی این اتصال غالباً پهن است . به خاطر اینکه ولتاژ مسیر سوراخ کنی توسط تماس لایه های تهی اتصالات و به وجود نیاید لایه n وسطی را کمی پهن می سازند .

 32 صفحه فایل ورد قابل ویرایش