انتقال حرارت ترکیبی در یک کانال مربعی افقی

اختصاصی از فی ژوو انتقال حرارت ترکیبی در یک کانال مربعی افقی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ترکیب انتقال حرارت جا به جایی با اثرات تشعشع در یک کانال افقی، کانال مایل و کانال افقی همراه با چرخش با تمام جزئیات به صورت عددی آزمایش شده است. این کار در ابتدا بر روی بر هم کنش انتقال حرارت تشعشی با انتقال حرارت جا به جایی ترکیبی برای یک سیال خاکستری در کانال مربعی متمرکز شده است.روش سرعت چرخشی در حل معادلات سه بعدی ناویز استوکس و معادله انرژی به صورت هم زمان به کار رفته است. معادلات دیفرانسیل کامل انتقال حرارت تشعشعی توسط روش محور های مجزا حل گردیده اند. توجه نتایج بر تاثیرات جا به جایی طبیعی و انتقال حرارت تشعشعی بر توسعه دما، ضریب اصطکاک و عدد ناسلت متمرکز شده است.نتایج نشان می دهد که اثرات تشعشعی در انتقال حرارت بسیار نقش مهمی را ایفا می کنند و اثرات نیروی شناوری در جا به جایی آزاد را کاهش می دهند. به علاوه توسعه دما در اثر تشعشع شتاب پیدا می کند.

فهرست مطالب

مقدمه: 1

فصل اول:کلیات

1-1- هدف: 4

1-2- پیشینه تحقیق: 5

1-3- روش کار: 5

فصل دوم:بررسی و حل معادلات

2-1- روش حل: 12

2-2- بررسی نتایج: 15

فصل سوم:انواع حالت های کانال مربعی

3-1- حالات خاص... 27

3-2- کانال مربعی مایل: 27

3-2-1- کلیات.. 27

3-2-2- روش حل: 34

فصل چهارم: بحث و نتایج

4-1- بحث و نتیجه حالت اول: 36

4-2- بحث و نتیجه حالت دوم. 37

4-3 پیشنهادات.. 50

4-4 کانال مربعی افقی همراه با چرخش... 50

منابع و ماخذ   60

عنوان پایان نامه : بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

اختصاصی از فی ژوو عنوان پایان نامه : بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

عنوان پایان نامه  : بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

قالب بندی : word 2003

قیمت :  30000

شرح مختصر : با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده¬ای بالا رفته است. گوردن مور  معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965  نظریه¬ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می¬رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود . این کوچک شدگی نگرانی¬هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می¬کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد . جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه¬ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو  معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله¬های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده¬اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی پرداخته¬ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله¬های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه¬های نسل آینده را خواهند گرفت

سرفصل :

مقدمه

مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن

مقدمه

گونه های مختلف کربن در طبیعت

کربن بیشکل

الماس

گرافیت

فلورن و نانو لولههای کربنی

ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید  نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولولهی کربنی

بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی

ساختار الکترونی کربن

اربیتال p کربن

روش وردشی

هیبریداسون اربیتالهای کربن

ساختار هندسی گرافیت و نانولولهی کربنی

ساختار هندسی گرافیت

ساختار هندسی نانولولههای کربنی

یاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنی

یاختهی واحد صفحهی گرافیت

یاخته واحد نانولولهی کربنی

محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنی

مولکولهای محدود

ترازهای انرژی گرافیت

ترازهای انرژی نانولولهی کربنی

چگالی حالات در نانولولهی کربنی

نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنی

مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیت

رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنی

پراکندگی الکترون فونون

تابع توزیع الکترون

محاسبه نرخ پراکندگی کل

شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون

ضرورت تعریف روال واگرد

بحث و نتیجه گیری

نرخ پراکندگی

تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی

بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون

بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

نتیجه گیری

پیشنهادات

ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد.

منابع

چکیده انگلیسی

بررسی تأثیر شیب جانبی در کانال های مرکب با جریان ثانویه

اختصاصی از فی ژوو بررسی تأثیر شیب جانبی در کانال های مرکب با جریان ثانویه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

• مقاله با عنوان: بررسی تأثیر شیب جانبی در کانال های مرکب با جریان ثانویه 

• نویسندگان: اسمعیل تیموری ، خسرو حسینی ، محمد سعید کریمی 

• محل انتشار: هشتمین کنگره ملی مهندسی عمران - دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل - 17 و 18 اردیبهشت 93  

• محور: سازه های هیدرولیکی 

• فرمت فایل: PDF و شامل 7 صفحه می باشد.

چکیــــده:

به دلیل خسارات و زیان‌های بی شماری که سیلاب‌ها به انسان‌ها وارد نموده‌اند؛ همواره تأثیر ویژه‌ای در زندگی بشر داشته‌اند. بررسی تأثیر اشکال هندسی در بروز سیلاب بعنوان شریان‌های حیاتی در کانال‌های مرکب از اهمیت بالایی برخوردار است. در این مقاله با بررسی اثر شیب جانبی کانال اصلی با اعمال جریان‌های ثانویه (k) به کمک روش ریاضی دو بعدی SKM تخمین توزیع سرعت نسبت به داده‌های تجربی با حداکثر خطای 0.004 درصد مشاهده شده است. با توجه به نزدیکی مدل پیشنهادی به نتایج داده‌های تجربی برآورد خوبی از توزیع عرضی سرعت داشته و نتایج حاکی از آن است؛ با افزایش شیب جانبی کانال اصلی، مقدار K بر روی کانال اصلی افزایش می‌یابد، با توجه به اینکه بین مقادیر K روی دشت سیلابی رابطه 0205 KFCF 1005 > KFCF 0805 > KFCF برقرار است مقدار K در دامنه شیب جانبی کاهش می‌یابد. دلیل این پدیده بدان علت است؛ که با شیب جانبی کوچکتر تأثیر جریان ثانویه شدیدتر می‌شود. در این شرایط با ضعیف شدن تدریجی نفوذ، فرسایش بستر رودخانه تشدید می‌شود. و همچنین بر خلاف پایداری بستر رودخانه و گسترش گیاهان و حیوانات باعث تخریب و نابودی اکوسیستم رودخانه می‌شود.

________________________________

** توجه: خواهشمندیم در صورت هرگونه مشکل در روند خرید و دریافت فایل از طریق بخش پشتیبانی در سایت مشکل خود را گزارش دهید. **

** توجه: در صورت مشکل در باز شدن فایل PDF مقالات نام فایل را به انگلیسی Rename کنید. **

** درخواست مقالات کنفرانس‌ها و همایش‌ها: با ارسال عنوان مقالات درخواستی خود به ایمیل [e-mail] پس از قرار گرفتن مقالات در سایت به راحتی اقدام به خرید و دریافت مقالات مورد نظر خود نمایید. **