فایل فلش سامسونگ A300FU اندریود6,0,1

اختصاصی از فی ژوو فایل فلش سامسونگ A300FU اندریود6,0,1 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فایل فلش  سامسونگ A300FU اندریود6

این فایل تست بدون مشل رایت با ادین ورژن ۳٫۰۷ به بالا با لینک مستقیم

دانلود پاورپوینت پروژه اسمبلی ساعت بدون آلارم

اختصاصی از فی ژوو دانلود پاورپوینت پروژه اسمبلی ساعت بدون آلارم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مشخصات این فایل
عنوان: پروژه اسمبلی ساعت بدون آلارم
فرمت فایل: powerpoint (قابل ویرایش) 
تعداد اسلایدها:31

این پاورپوینت در مورد پروژه اسمبلی ساعت بدون آلارم می باشد.

 

بخشی از تیترها به همراه مختصری از توضیحات پاورپوینت پروژه اسمبلی ساعت بدون آلارم

 فراخوانی زیر برنامه
برای فراخوانی زیر برنامه از دستور
CALL
استفاده میشود که به شکل زیر است
CALLآدرس     
آدرس را میتوان مستقیم یا غیر مستقیم در نظر گرفت
هنگامی که این دستور اجرا میگردد دو عمل انجام میشود
1.آدرس برگشت به زیر برنامه فراخوان در پشته ذخیره میشود
2.کنترل اجرای برنامه به آدرس شروع زیر برنامه میرود
...(ادامه دارد)

حافظه مجموعه ای از بایت ها است.و بایت از 8 بیت ساخته شده است میکرو کنترلر توانائی به کارگیری دستورات بیتی رابرای تغییر بیتها یی که بیت آدرس پذیر هستند را دارد.
این دستورات شامل دستورات انتقال بیت ودستورات منطقی و ست کردن بیت و پاک کردن بیت و ... هستند.
برای اینکه بیت مشخصی را ست کنیم (مقدار آن را هر چه باشد به یک تغییر دهیم) از دستور SETB استفاده می کنیم.

SETB bit
برای پاک کردن یک بیت( صفر را در آن قرار دهیم ) از دستور

CLR bit
استفاده می کنیم .برای مکمل کردن یک بیت مشخص (اگر مقدار آن یک باشد به صفر تبدیل می شود و برعکس) از دستور

CPL bit
استفاده می کنیم .دستور انتقال داده بیتی همان دستور mov است . دستور mov را قبلا برای انتقال یک بایت از حافظه نیز به کار بردیم حال چگونه تشخیص دهیم که یک دستور mov ، یک بایت از حافظه را انتقال می دهد یا یک بیت ؟
جواب این است: در صورتی که عملوند اول دستور یک بایت باشد یا یک ثبات، دستور mov بایتی است و هنگامی که عملوند دستور یک بیت باشد دستور، بیتی است ...(ادامه دارد)

شیوه های آدرس دهی
مبحث مهمی که در برنامه نویسی به زبان اسمبلی وجود دارد شیوه های آدرس دهی است .منظور از آدرس دهی روش دستیابی میکرو پروسسور به اطلاعات است آدرس دهی ، مبدا و مقصد داده را تعیین می کند و اینکه در جریان انتقال داده از مقصد به مبدا چه عملیاتی بایستی انجام شود .قبل از پرداختن به تشریح دستور العمل های اسمبلی 8051 ، انواع شیوه های آدرس دهی را بیان می کنیم....(ادامه دارد)

در 8051 هشت نوع آدرس دهی وجود دارد :
آدرس دهی ثبات(Register Addressing)
آدرس دهی مستقیم (Direct Addressing)
 آدرس دهی غیر مستقیم (Indirect Addressing)
آدرس دهی فوری (Immediate Addressing)
آدرس دهی نسبی (Relative Addressing)
آدرس دهی مطلق( Absolute Addressing)
آدرس دهی طولانی (Long addressing)
آدرس دهی دهی اندیس دار (Index Addressing)
...(ادامه دارد)

آدرس دهی نسبی
این نوع آدرس دهی در چند دستورالعمل پرشی به کار رفته است.(مانند sjmp) با استفاده از این نوع آدرس دهی می توان به 127 بایت بالاتر و 127 بایت پاینتر از مکان فعلی برنامه پرش کرد . هنگامی که کامپایر به این نوع دستورات پرشی می رسد آدرس مبدا را از آدرس مقصد تفریق می کند ونتیجه را به شمارنده برنامه اضافه می کند...(ادامه دارد)

بخشی از فهرست مطالب پاورپوینت پروژه اسمبلی ساعت بدون آلارم

 مقدمه
معرفی مجموعه دستورات این برنامه
آدرس دهی فوری یا بلافاصله
MOV
فراخوانی زیر برنامه
برگشت از زیر برنامه
دستور :CJNE
انشعاب غیر شرطی
شکل دستور
شیوه های آدرس دهی
آدرس دهی ثبات
آدرس دهی مستقیم
آدرس دهی غیر مستقیم
آدرس دهی نسبی
آدرس دهی مطلق
آدرس دهی طولانی
...(ادامه دارد)

تحقیق در مورد شنا در اعماق دریا ها بدون اکسیژن

اختصاصی از فی ژوو تحقیق در مورد شنا در اعماق دریا ها بدون اکسیژن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه11

فهرست مطالب

تجربه ی ریچارد

روند تاریخی

مراحل فراگیری

تغییرات خونی

واکنش های بدن انسان

کاهش ضربان قلب

تولید اکسیژن

تغییر مکان خون

تغییرات بر حسب عمق

برخی از بزرگترین ها را بشناسیم

در ژرفای آبی

شنا در اعماق دریا ها بدون اکسیژن

انسان به یکی دیگر از مرز های توانایی خود حمله می کند

پنج دقیقه از آخرین باری که شما نفس کشیده اید می گذرد ....     در تمام این مدت شما نفس خود را نگه داشته اید ....ضربان قلب شما تنها به چند دقیقه محدود شده است فشار آب هر لحظه بیشتر بدن شما را در منگنه ای درد آور قرار می دهد ......اما با همه ی این احوال و ترس اضطراب و درد : شما را گونه ای حس آزادی و آزادگی و سبک بالی در بر می گیرد .......و چنین است که با شنای آزاد زیر آب ( بدون اکسیژن ) آشنا می شویم

غواصی بدون اکسیژن چیست ؟

تعریف ساده ی این ورزش چنین است که شخصی به زیر آب شیرجه می رود و تنها هوایی که در اختیار دارد :اکسیژنی است که در شش های خود ذخیره کرده است . در واقع این ورزش در نوع خود : از قدیمی ترین ورزش های آبی جهان شناخته می شود که مثال بارز آن جستجوی مروارید است که در حدود چهار هزار سال پیش در دریای مدیترانه انجام میشد و اشخاص برای خارج کردن دانه های مروارید و یافتن صدف های مروارید دار : به اعماق مدیترانه شیرجه می رفتند و دقایقی چند را تنها با تکیه بر هوای ذخیره شده در شش های خود :به جستجو برای مروارید می پرداختند. اما این پدیده : در حقیقت یک پایه و اساس علمی هم دارد : چرا که بدن در زیر آب با شرایط تازه ای مواجه می شود که در نتیجه قلب :سیستم گردش خون و عضلات انسان :همگی به گونه ای عمل می کنند تا اکسیژن را در بدن ذخیره کنند.

حال در این میان : تکنیک های مخصوص هم توسط شیرجه روها مورد استفاده قرار می گیرد تا بتوانند حتی تا 9 دقیقه در زیر آب : بدون تنفس باقی بمانند و به اعماق آب دست یابند : البته بدن انسان معمولا در برابر چنین فشاری : قابلیت تحمل ندارد .

حال فعالیت ها و دست آورد های خارق العاده از شیرجه رو هایی چون ژاک مایول :باعث شده تا این ورزش به عنوان یک پدیده ی مدرن در جهان تثبیت شود 

دانلود تحقیق کامل درمورد یون گیری واکنشی

اختصاصی از فی ژوو دانلود تحقیق کامل درمورد یون گیری واکنشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 98
فهرست و توضیحات:

• معرفی سمینار
• طرح کلی سمینار
• شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
• زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
• روند کار و نوع سمینار
• اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
• اطلاعات ثبت نام
• آموزش در سایت
• یادداشتهای نمونه سمینار
• مقالات اخیر ساوین
• تماس ها برای سوالات
• ثبت نام در وب سایت
• اطلاعات ناحیة بوستون
• سوابق آقای ساوین

1-معرفی

• فیزیک پلاسما
• فرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

• مدل سیفتیک گازی
• مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
• مدل گازی ساده شده
• محتوای انرژی
• نرخ برخورد بین مولکولها
• مسیر آزاد
• سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
• فشار گازی
• خواص انتقال
• جریان گاز
• وضعیت سیال
• رسانایی رساناها
• احتمال برخورد
• پراکندگی گاز- گار
• پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
• انتشار ارتجاعی
• برخورد غیر ارتجاعی
• نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
• عکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

• توزیع انرژی الکترونی
• سینتیک همگونی پلاسما
• مدل توزیع (مارجینوا)
• مدل توزیع (دروی وشتاین)
• انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
• سینتیک گاز رقیق شده
• شکافت انتشار دو قطبی
• تجمع غلاف
• سینتیک سادة غلاف
• حفاظت یا پوشش «دیبای»
• تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
• آزمایش غلاف بوهم
• خصوصیات میلة آزمایش
• شکست و نگهداری، تخلیة rf
• تقریب میدان مشابه
• تقریب میدان غیرمشابه
• مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf
• اندازه گیری تخریب rf
• مدل توازن الکترونیکی
• مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
• ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf
• خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
• سیستم همگن (متقارن)
• توزیع ولتاژ در سیستم rf
• توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
• مدار معادل تخلیة rf
• تنظیم الکترودها
• سینتیک بمباران یونی
• تخلیة اپتیکی
• لم اندازه گیری حرکت
• ریزنگاری تخلیة اپتیکی
• فرآیند برخورد الکترون
• برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما

4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)

• امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی
• بمباران خنثی امیژن ثانویه
• عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی
• ناحیة کاتدی
• یونیزاسیون در غلاف
• توزیع انرژی یونها
• الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع)
• ناحیة آند
• مدل سازی پلاسمایی DC

5-تخلیه های Rf

• فیزیک پلاسمای rf خازنی
• فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.
• فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون
• فیزیک تخلیة هلیکون

پیکره بندی و سخت افزار رآکتور

• همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها
• شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده
• تنظیم کننده های موج کوتاه
• رآکتورهای لوله ای
• رآکتورهای صفحه موازی (دیودی)
• رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن
• گیرندگان یون واکنشی
• گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
• گیرندگان اشعه یون واکنشی
• بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین
• گیرندگان دیودی ارتجاعی
• رآکتورهای تریودی
• بایاسینگ Rf
• محدود کردن مغناطیسی چند قطبی
• منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی
• ECR توزیع شده
• منابع در حال جریان نزولی
• ماگنترولها
• مونتاژ کردن لایه لایه ای
• تبرید برگشتی هلیوم
• محکم کاری الکترواستاتیک
• جستجوی نقطة نهایی
• تجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکی
• ثبت حرکات تداخلی
• ثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلی
• مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی
• فاز گازی
• تولید اتم اکسیژن
• بارگزاری رآکتورها
• واکنشهای سطحی
• شیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.
• ارتقاء پلمیری
• سینتیک مواد نشتی یا رطوبت ده
• الکترون گیری شیمیایی فزاینده یونی
• اتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+
• پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل
• مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکون
• الکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شده
• الکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شده
• الکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شده
• مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.
• توده نگاری میکروسکوپی
• میلة آزمایش لانگ میر
• فلورسنت القایی با لیزر
• تحلیل امپدانس پلاسمایی
• ثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده

طیف نگاری تخلیه اپتیکی

8-الکترون گیری جلوه ها

• ده مبارزه برتر الکترون گیری
• مکانیزمهای گسترش مقطعی
• جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما
• پراکندگی یونی در جوله های خاص
• تغییر سطوح در جلوه های ویژه
• الکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگی
• اتم گیری با القاء یونی
• اتم گیری خودبخود
• جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما
• جابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیدات
• شکست
• جاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)
• نسبت منظری الکترون گیری وابسته
• تجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات

9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی

• مدل سازی سطحی ساده شده
• خصوصیات شبیه ساز مونت کارلو
• مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
• پراکندگی یکنواخت و غیریکنوخت
• انتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزاینده
• پراکندگی از قسمت سطح منبع
• ارتقاء کیفیت سطحی
• مقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازی
• تجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونها
• پراکندگی یونی
• جهت دار شدن یونی
• زاویة ماسک
• ترکیب مجدد سطحی
• جابجایی از پلاسما
• تأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهری
• خشن کردن سطوح در حین اتم گیری

10-تخریب پلاسما

• آلودگی
• خصوصیات منحصر به فرد
• تخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوز
• تخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکی
• تخریب چهارچوبها و قابها
• خوردگی بعد از اتم گیری

11-فرآیندهای اتم گیری

• الکترون گیری و الکترون دهی اعضا
• پلی سیلیکون
• الکترون گیری دروازه ای
• الکترون گیری اکسیدی
• الکترون گیری نیتریدی
• الکترون گیری دی الکتریک با K پائین
• الکترون گیری آلومینیوم
• الکترون گیری مس

12-جابجایی

• انتشار
• جرقه ها، قوس های الکتریکی، بی ثباتی ها
• جابجایی انتشار بایاس
• تنظیم با خط صحیح دید
• منابع رطوبت ده با غلظت بالا
• ترکیب و آلیاژ
• جابجایی انتشاری عکس العملی
• مقدمه چینی برای هدف
• جابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسما
• وسایل و تجهیزات مربوط به VD
• تمیز کردن اطاقک واکنش
• عملیات آزمایشی PECVD و ماهیت
• نیترید سیلیکون
• دی اکسید سیلیکون
• آکسی فلورید یدهای سیلیکون
• اکسیدهای سیلیکون و کربن
• لایه های پرفلور و کربن

13-پردازش کار با پلاسما در سطوح بزرگ

• جدای یک منبع با فاصله از یک لایه زیرین
• استفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافته
• مقیاس گذاری منابع پلاسما
• منابع پلاسمای خطی
• منابع جاری پلاسما

14-رآکتورهای لایه لایة ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند

• وسایل عمل آزمایشی
• آزمایشات
• مشخص کردن خصوصیات فرآورده های بعدی
• مکانیزم پیش بینی شده برای کاهش
• استفاده از واحد کاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC)
• کاهش PFCهای دیگر
• جمع بندی
• کاهش پیودهای اندوکسیونی با پلاسما
• سابقه
• خلاصة نتایج
• نمرة تحقیقات و نتایج
• محاسبات سینیک شیمیایی
• رآکتورهای کاهنده تجارتی
• رآکتورهای کاهنده تجارتی موج سطحی

15-فرآیند پلاسمای غیر میکروالکترونیک

• استرلیزه کردن با پلاسما
• صفحة مدار چاپی از نوع دوتایی که با چسب به هم متصل می شوند
• مراحل پردازش میکرومکانیکی
• الکترون گیری عمیق چندگانه ای زمانی
• الکترون گیری Si در سیستم STS
• نسبت الکترون گیری
• نسبت منظری پیامد الکترون گیری RIE وابسته
• نسبت الکترون گیری ضد نور
• متحدالشکل بودن
• عوامل تقویت کننده

16-ضمیمه

17-مرجع ها

معرفی سمینار (همایش)

تقریباً 40% از مراحل ساخت و تکمیل در صنعت میکروالکترونیک از فرایندهای پلاسما استفاده می کنند. کاربردها در میکرومکانیک، صفحه نمایش های تخت، تغییر سطوح (تصحیح سطوح)، تمیز کردن، استرلیزه کردن ایجاد پوشش(لایه) با پاشیدن مایع، و قسمتهای متنوع و بیشمار دیگر به سرعت در حال رشد و توسعه زیاد بر مبنای توسعة تکنولوژیکی هستند که برای فرآیندهای میکروالکترونیک (پردازش میکرو الکترونیکی) ساخته می شوند. درک اساسی (مبنای) پردازش (فرآیند) پلاسما(یی) اکنون همین قدر کافیست که مدل ها و نمونه های پلاسمایی بسان (در شکل) ابزارهایی برای فرایندها و روش تولید پلاسمای و ابزار پلاسمایی، ساخته و پرداخته می شوند و جلوه می کنند، همچنانکه مشکلات فرآیند رفع عیب از روی علت، خودنمایی می کنند. در کل رفع اشکالات (عیب یابی) پلاسما اکنون ابزاری شده همانگونه که نشان دهنده های فرآیند ابزارهای عیب یابی و تجسس (بازرسی) و کنترل کننده های فرایند (مراحل انجام کار)، در نقش توسعة قابلیت اعتماد و انعطاف پذیری مراحل انجام کار.

بازنگری ها و مرور سمینار معطوف است به اساس و اصول فیزیک پلاسما که مورد نیاز است برای درک و فهمیدن فرایندهای پلاسما برای استفاده در ساخت و پرداخت و تولید میکروالکترونیک. ارائه مدل هم به سبک فیزیک پلاسما و هم شیمی پلاسما مورد بحث قرار خواهد گرفت. ساختار (ساختمان) که از این مفهوم نشأت می گیرد، پیکره بندی و ساختارهای رآکتور پلاسمایی برتر، برای بدست آوردن (ساختن) یک درک و فهم ثابت و استوار از این مقوله، مورد بحث قرار خواهد گرفت. سپس همین مفاهیم رآکتور در کل و به طور عمومی برای پردازش پلاسمایی مورد استفاده قرار خواهند گرفت. موارد کاربردی مثل پردازش (فرایند) نمایش صفحه ای، استرلیزه کردن، پاک کردن، لایه گذاری یا پوشش دادن با پاشیدن مایع، تصحیح و تغییر سطح پلی مری و انبار کردن، مورد بحث واقع خواهند شد. این سمینار مشابه آن چیزی است که آقای Herb Sawin در دانشگاه MIT در 20 سال گذشته تدریس و معرفی کرده است. این مطلب در طول 16 سال گذشته تا کنون به مهندسین صنعتی در قالب یک برنامه تابستانی یک هفته ای در MIT معرفی و پیشنهاد می شده و در بسیاری از شرکتها هم اکنون روی خط ارتباطی خود، آن را دارند.

نقطه نظر (موضع) یا موضوع مورد بحث سمینار

هر سال که یادداشت ها و مقاله های سمینار توسعه می یابند و بازنگری و تصحیح می‌شوند، محتویات برنامه هم عوض می شوند. یادداشتهای سمینار بتازگی بالغ بر 450 صفحه می شوند و مدارکی در برگیرندة تمام موارد و مواد مطرح شده و پیشنهاد شده در سمینار می باشند. این متن کاملاً فهرست بندی و دارای ضمیمه و مرجع شده است. موارد زیر (فهرست زیر) مواضع و موضوعاتی هستند که توسعه یافته و تغییر کرده اند و برای ارائه در سمینار جاری آماده شده اند.

شرح حال و تحقیق اخیر آقای Herb Sawin

سخنران برنامه آقای هرب ساوین است، پروفسور مهندسی شیمی، مهندسی الکتریسیته و علوم کامپیوتر از انستیتو تکنولوژی ماساچوست (MIT). فروفسور ساوین در حدود 22 سال بر روی موضوع پردازش (فرایند) پلاسما کار کرده و در حدود 160 مقالة تألیف شده و رساله (یادداشت) در پروندة خود دارد. تحقیقات او شامل مطالعه در فیزیک پلاسما، شیمی پلاسما، واکنش های سطوح تغییر و تصحیح سطوح، عیب یابی و تعمیر پلاسمایی، مدل سازی (ارائه مدل) از پردازش. در مورد ویژه او بطور نزدیک با صنعت در توسعه و درک مفاهیم یون گیری الکترونها و ذخیره سازی بخار شیمیایی غنی شده با پلاسما، کار کرده است و نیز عیب یابی پلاسمایی و تمیز کردن لایه های مجاور با میکرو- ماشین ینگ (Micro Machining) «همین او یک متبکر در بیش از 8 مقاله و رساله است که 5 تای آنها از MIT برای صنایع (صنعت) و تکنولوژی اجازه نامه گرفته اند. این مقالات راجع به موضوعات زیر بحث می کنند»:

• پاک کردن خشک لایه های Ni، Fe، Cu، Na، فلزهای آلکالی و اکسیدها
• جایگیر کردن یا (مستقر کردن) لایه های نازک تفلون مانند بصورت بخار شیمیایی برای دی الکتریک های یک لایه در میان و کاربردهای دیگر
• مونیتورینگ (مشاهدة بصری) میزان چند لایه شدن (لایه گیری) اینترفرومتریک لایه ای، پاک کردن، تأخیر RIE، و مرحلة پایانی در برخی فرایندها (End point).
• تحلیل نامحسوس برای حساسیت بیشتر بازرسی (جستجو) در مرحلة پایانی (کاری).
• پیکره بندی (ساختار) رآکتور پلاسمایی
• پاک کردن لایه های مجاور با بخار با روش HF.

برخی از نکات بارز کار آخر او (Sawin) شامل موارد ذیل است:

• او راجع به سینه تیک(کینه تیک) سطوح یون گرفته که مسئول (عامل) یون گیری جهت دار و سمتی مطالعه کرده است که از اشعه ها برای روان کردن (جاری کردن) (و بردن) مایعاتی که هنگام عملیات کار (مراحل انجام کار) بر روی سطوح ریخته می شوند (برخورد می کنند)، استفاده می شود.

او در آزمایشات اولیه ای از یونهای Ar و اشعة CL2 استفاده کرد او می توانست تخلیة فراورده ها (محصول) را از ثبت (یون گیری) لایه های سیلیکونی، اندازه بگیرد. با این تکنیک او اولین کسی بود که توانست زمان جایگزینی (جایگیری) بین برخورد یونها و رهاسازی (تخلیه) الکترونها (نتیجة واکنش) از روی سطح الکتروناه (که برحسب 100 میکرو ثانیه بود). این زمان جایگیری نشان می داد که مکانیزم (ی) برای ارتقاء (افزایش)، از طریق روشهای شیمیایی میسرتر بود تا اینکه بوسیلة پاشیدن مواد از روش فیزیکی یا مکنیزم میله های داغ؟ که عموماً هم به این روش در آن زمان اعتقاد داشتند.

ابتدا برای مشخص کردن و ارائه مدلی از واکنش (پدیدة) شارژ صوری (ظاهری) و تأثیر آن بر اتم گیری وابستة نسبت منظری (تأخیر RIE).

نشان داد که فشار در روی (در مرحلة) رویاروی دی اکسید- پلی سیلیکون عاملی بزرگ در شکل گیری درزها و شکافها می باشد. انعکاس یون با پارژ صوری (ظاهری) برای اندازه گیری مقدار شکاف خوردن (درست شدن شکافها) وسیله و روش کافی‌ای نیست (این روش کافی نیست).

• آزمایشات تخلیة (ستون) ترکیب شده که در حال حاضر در آزمایشگاه آقای ساوین اجرا می شوند، در مدت زمان (از نظر زمانی) بین سیلان واقعی (جاری شدن واقعی) و پیچیدگی با هم تفاوت دارند. مثلاً الکترون گیری (فرم گیری) سیلیکون و اکسید در قالب (رابطة) ستونهای ، F، تعریف و تعیین شده است. جاری شدن (حرکت) لایه ها و ستونهای مذکور با آنها (آن دسته) که در متن فرایندهای الکترون گیری پلاسمایی وجود دارند، قابل مقایسه هستند. تناسب(میزان) الکترون گیری، جایگزین شدن مجدد(ذخیرة مجدد) و منتخب (برگزیده) بودن این فرایند، اندازه گیری شده است و در یک مدل شبیه سازی شدة تصویری قرار داده شده است تا مدلی از فرایندهای الکترون گیری (جهت دار) را ارائه بدهد. او همچنین مقدار جابجایی وزن (جرم) در اثر نیروی واردة (سینه تیک) [Kinetics] الکترون گیری پلی سیلیکون را در ، ، ، و اندازه گیری کرده است. اهمیت دوباره ذخیره کردن (جایگیری مجدد) محصولاتی مثل اندازه گیری کرده است. اهمیت دوباره ذخیره کردن (جایگیری مجدد) محصولاتی مثل  که میزان الکترون گیری را کاهش می دهند. در مصارف عادی و معمولی نشان داده شده که 2 برابر اهمیت دارد. تغییر وضعیت جرم در اثر نیروی وارده در این کار در یک شبیه ساز مصور قرار داه شده تا برای نشان دادن مدلهای پلاسما استفاده شود.
• ساوین و گروهش یکی از اولین کسانی بودند که از مدل هیدرودینامیک برای نمایش صوری فیزیک تخلیه (شارژ) استفاده کردند و نظریاتشان را به طور گسترده‌ای در این قسمت منتشر کردند. مقالة او اولین مقاله ای بود که شامل یک تأثیر درونی انتقال یون می بود و از سوی کسانی که از این فرمول استفاده می‌کردند و قریب به 52 مرتبه از سال 1987 که وی مقاله اش را منتشر کرد، اقتباس و استناد شده بود. در مجموع گروه او یک روش تیراندازی (تخلیة ناگهانی) عددی را توسعه داده بودند برای هم راستا شدن (هم جهت شدن) با حالت یکنواخت ناپایدار و لرزشی در تخلیة rf که توسط دیگران که در این زمینه تشکیل یک گروه و دسته را داده بودند.
• تحت حمایت (Sematech) تکنیک (روش) اینتروفرومتری کامل لایه های فشرده، اختراع (ابداع) شده و ثبت اختراع هم شده بود. این روش نه تنها می تواند متشابه (هم شکل بودن) نسبت الکترون گیری در میان لایه های به هم فشرده را در خلال جایگیری و یا الکترون گیری اندازه بگیرد، بلکه همچنین می تواند اختلافات و تغییرات نسبت الکترون گیری را هم در یک صفحة (لایه) از بین رفته اندازه گیری کند آن هم با وقتی بیشتر از 1% نسبت الکترون گیری. این روش تضمین کرده (قول داده است) که ابزاری با ارزش برای توسعة فرایندها و کنترل باشد. یک شرکت موفق و در حال پیشرفت که بر مبنای این مفهوم ساخته شده بود، شکل گرفت و تولیدات خود را به صنعت ارائه کرد (فروخت) که اکنون تبدیل به شرکتی بزرگ شده است که کارش نظارت و نگرش بر وضعیت مراحل انجام کار در ساخت و تولید می باشد.
• اولین اندازه گیری انتشار زاویه ای بمباران یونی در روی یک الکترود در تخلیة rf در لابراتوار Sawin انجام شد. این اندازه گیریها توسط مدل (نمایش مدل) مونته کارلو از پراکندگی یون در غلاف (پوششی) بود که سبب می شد یون انرژی پیدا کند و جایگیری زاویه ای روی دهد. همچنین این اندازه گیری ها در مدلسازی از وضعیت حرکت ناحیه ای خاص به سمتی خاص در سطح لایه های بهم فشرده در خلال فرایند، دست به دست هم دادند تا محاسبات صورت گیرد. از آنجا که انتشار زاویه ای برای کنترل جهت یابی و ابعاد بحرانی،در الکترون گیری مهم و حیاتی هستند، این کارهای اساسی و پایه ای از اهمیت فراوان برخوردار هستند.

برای اندازه گیری مقدار شیمی پلاسمای فرایندها گروه ساوین تکنیک مدولاسیون قدرت rf را توسعه دادند که می تواند مراحل مرزی نسبت را در کینه تیک شیمیایی مشخص و شکل دهی کند. این مدولاسیون دانسیتة الکترون رخ دهد اما مدولاسیون خیلی کمی در انرژی الکترون در دیگر فیزیک پلاسما بوجود می آید. با اضافه کردن مقدار کمی Ar، دانسیتة سریع الکترون، با مشاهدة مدولاسیون تخلیة بصری Ar، اندازه گیری می شود. همچنین مدولاسیون تخلیه که از واکنشی در پلاسما شکل می گیرد مثل Cl، F، CF، CF2 و غیره، می توانند انواع تعیین مقدار بشوند و وقتی که با تخلیة Ar که برای تصحیح دانسیتة الکترون انجام می شود به حال عادی باز می گردند، تمرکز انتخابی این گونه ها(انواع) تعیین می‌شود. تجزیه و تحلیل های «Fourire» برای تعیین طرز عمل (تابع) انتقالی آزمایشی و متعاقباً برای تابع پذیری کینه تیک شیمیایی استفاده می شود. استفاده از این روش، نشان داده است که ترکیب بیشترین تخلیه ها با (بوسیلة) توازن فرایند پراکنده شدن با برخورد الکترون و ترکیب مجدد سطوح (انرژی) تعیین شده است مثلاً فاز گازی (قسمت گازی) فرایندهای واکنش شیمیایی بصورت سمبلیک و نمونه، مهم نمی باشند. قبل از انجام این کار، کارهای تئوری و آزمایشی زیادی که مدلهای کینه تیک تخلیه ای داشتند و با واکنش های فازگازی جمع بندی شده بودند، در صدر روش ها بودند و روشهای برتری بودند. مشاهدة با تکنیک آنالیز سریع «Sawin» نشان داد که این مدلها یک تا 2 برابر اندازة واقعی از نظر بزرگی، بودند.

این فقط قسمتی از متن مقاله است . جهت دریافت کل متن مقاله ، لطفا آن را خریداری نمایید

تحقیق از همه جا و همه چیز ( کامپیوتر )

اختصاصی از فی ژوو تحقیق از همه جا و همه چیز ( کامپیوتر ) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه42

از همه جا و همه چیز ( کامپیوتر )

بلاگ چیست  ؟
بلاگرها در شکارگاه (اینترنت) می گردند و به گرد آوری می پردازند. برای ما مطالب را طی فعالیت خود در صفحات اینتر نت و… نمونه برداری کرده و گاه آنها را نقادی میکنند . ما در کنار دریای اینترنت‌ایم و آنها بر آن می‌بارانند . بلاگرها مردان آماده (رزم) انقلاب دیجیتالی هستند . کلمه « بلاگ » مختصر شده « وبلاگ » است . چند سال پیش یکی از کسانی که بسیار در وب می گشت شروع به ارایه گزارش روزانه کرد. وی موجزی از اطلاعات نادر و جالب را که در طی سیر در صفحات وب به آنها برخورد کرده بود را ارائه می کرد . پیشرفت در ابزار طراحی «وب» ، برای تازه آشنایان با اینترنت ساختن صفحات شخصی در وب را بسیار آسان کرد . تا آنجا که بتوانند آن را بسادگی هر موقع که خواستند روز آمد کنند – حتی هر 5 دقیقه یکبار- بطوریکه آن دوست – در کنفرانس- انجام می داد . بدین سان « بلاگها» دارای پویایی بیشتری نسبت به سایر استاندارد های وب سازی هستند . خیلی دائمی تر از پست کردن به صفحات بحث در اینترنت . آنها شخصی تر و خصوصی تر از روزنامه نگاری سنتی و عمومی تر از دفتر چه خاطرات هستند .

آیا تا کنون وبلاگ خوانده اید؟ شاید شما یکی از افرادی باشید که وبلاگ دارید . یا ممکن است شما هنوز ندانید که آن چیست .


وبلاگ سایتی اینترتنی است که توسط مردم معمولی مثل من و شما راه اندازی می شود . آنها ، داستان ، شعر ، قطعه های ادبی ، عکس و یا مطالبی شبیه سایر وب سایت ها را به وبلاگ خودشان پست می‌کنند.

- سریع update می شود .

آما نه شبیه روش home page. آنها دائماً عوض می شوند . خیلی از وب لاگ ها یا «بلاگ ها» حد اقل هر روز روز آمد می شوند و در بعضی موارد بارها در یک روز . بعضی از صاحبان وبلاگ مخصوصاً آنها که برای مدتی بدین کار پرداخته اند-در صورتی که از وبلاگ خود شهرتی به دست نیاورند ، انگشت نما می شوند. آنها ممکن است به همان اندازه در میان همکاران خود به چهره ای قدیمی باشند اما در اینترنت مشهورند.
غیر از روزآمد کردن روزانه سایت ها ، نکته مهم دیگر ان است که هر کس می تواند یکی از آن را داشته باشد . ساختن یک وبلاگ نیاز به تجربه زیادی از اینترنت ندارد و به هیچ وجه نیازی به پول نیست.


شروع ساختن وبلاگ در blogget.com ، سایتی که پیشرفت وبلاگ ها از آنجا شروع شد – کمی بیش از دو دقیقه وقت می گیرد aسادگی مراحل ساختن وب ، موجب افزایش سریع سازندگان وبلاگ شده است . سایت بسیار مورد توجه واقع شده است چرا که این ایده اکنون در جریان قرار دارد . بی بی سی نیوز آن لاین یک وبلاگ دارد که خبرنگاران سیاسی در مواقع اضطراری و سر بزنگاه اخبار را در آن به طور منظم آپ دیت می کنند . گاردین یک وب لاگ جالب دارد که اخبار بین المللی را در آن هم آهنگ می کند .

وبلاگ شهرت و اعتبار خود را از حکایات و اطلاعاتی که در خود دارد بدست می آورد . درست مثل یک کتابخانه شخصی که انسان می تواند هر چیز جالبی را در آن ذخیره کند تا در روز های بعد به آن مراجعه کند . صاحبان وبلاگ همواره قدرت خلاقه و تجربه را در خود افزایش می دهند .صاحب وبلاگ البته دوست دارد که وبلاگ های دیگر را هم بخواند . آنها غالبا خطوط پیوسته ای ا ز یک وبلاگ به وبلاگ بعدی درست می کنند . آنها فرا گرفته اند تا دوستانی بیابند . آنها گاه حتی با هم نرد عشق می بازند ، عصبانی می شوند ، بله گاهی هم از هم می رنجند . وقتی که هفته گذشته صاحب بهترین وبلاگ جایزه را برد شور و تهیجی در میان وب لاگ نویسان به وجود آمد .

Tom Coates ، مرد پشت کیسه پلاستیکی ، ارگ ، جایزه بهترین وب لاگر اروپایی را برد .اجازه بدهید جهان بداند در دفترخاطرات شما چیست ؟ او می گوید: «من اکنون بسیار خوشحالم که از خیلی وقت پیش تا حالا وب لاگ دارم و به همین دلیل در جامعه بخوبی شناخته شده ام.» «خوب یا بد ، به نظر می رسد که مشترکان بسیاری برای وب لاگ پیدا شده است . مردم داخل سایتی که واقعاً برای آنها بهره ای نداشته باشد نمی آیند و به آن رای نمی دهند . بنا براین من باید کار درستی انجام دهم » مقرر کردن جایزه ، « راهی با مزه برای دیدن سایت ها توسط افرادی است که در صورت دیگر هرگزدر باره آنها چیزی نمی دانستند . این همچنین تبلیغی برای نوعی رسانه ی موثر است . مستقیم ، شخصی ، آنلاین و منتشر شده »

خانم Meg Pikard دیگر وب لاگ نویس انگلیسی که او هم برنده شده است ، سعی کرد تا جاذبه های وب لاگ نویسی را شرح دهد. «من الآن در باره وب خیلی بیشتر از چند سال پیش می دانم که تازه شروع به ساخت وب لاگ کردم . داشتن وب لاگی که هر روز باید آن را آپ دیت کرد راهی جالب برای شناختن سایتهای جدید، تکنولوژی، خاطرات و نظرات است .من نمی خواهم یک شخصیت وبی داشته باشم ، سایت من تنها جای پرسه زدن من است مثل زمانی که من با رفقایم به کلوپ میروم اما در فرم دیجیتالی آن. من سایتم را برای خوشامد و کنجکاوی خودم حفظ میکنم .آنجا فضای فکر کردن است.» و Dan Hon یکی از چهره های قدیمی وب لاگ در انگلستان از زمانی یاد می کند که تنها 20 نفر وب لاگر در آنجا وجود داشت (الآن بیش از 400 است.) او می گوید: «این روش دیگری برای ارتباطات است . من می توانم از ایمیل استفاده کنم اما برخی اوقات پست کردن مطالب در وب لاگم آسانتر است.»


اغلب برای افراد مشکل است که تفاوت بین سخت افزار و نرم افزار را درک نمایند و این به این دلیل است که این دو موضوع در طراحی،ساخت وپیاده سازی سیستم ها بسیار به هم وابسته اند . برای درک بهتر تفاوت بین آنها لازم است که ابتدا مفهوم BOIS را درک کنید.


BOIS تنها کلمه‌ای است که می تواند تمام درایورهایی را که در یک سیستم به عنوان واسط سخت افزار سیستم و سیستم عامل کار می کنند، را شرح دهد.
BOISدر حقیقت نرم افزار را به سخت افزار متصل می نماید . قسمتی از بایوس بر روی چیپ ROM مادربرد و قسمتی دیگر بر روی چیپ کارتهای وفق دهنده قرار دارد که FIRE WARE(یعنی میانه افزار یا سفت افزار)نامیده میشود .