فی ژوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی ژوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

مقاله در مورد دیودهای نورانی

اختصاصی از فی ژوو مقاله در مورد دیودهای نورانی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله در مورد دیودهای نورانی


مقاله در مورد دیودهای نورانی

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه13

 دیودهای نورانی چگونه کار می کنند؟

دیودهای نورانی که به آنها دیودها نیز گفته می شود و در دنیای الکترونیک به این نام شناخته می شوند کابرد زیادی دارند. آنها برای اهداف گوناگون در لوازم و تجهیزات مختلف بکار گرفته می شوند. آنها برای پالسهای ساعت دیجیتال digital clocks ، انتقال اطلاعات و سیگنالها از کنترلهای راه دور و روشن کردن فضای ساعت استفاده می شوند. آنها را بصورت مجموعه ای (به تعداد زیاد) می توان در برخی تلویزیونها (jumbo TV) و چراغهای راهنمایی رانندگی یافت. اصولاً LED ها، لامپهایی هستند که براحتی در مدار الکترونیکی قابل نصب هستند. برخلاف لامپهای متداول دیگر دارای رشته های نازک و مارپیچ نیستند. آنها در حین کار تولید گرمای زیاد نمی کنند. این دیودها بر اثر عبور الکترونها از ماده نیمه هادی نورافشانی می کنند، انواع کنونی آن به اندازه یک ترانزیستور استاندارد است.

در این مقاله اصول ساده عملکرد این دیود توضیح داده می شود و برخی اصول مربوط به نورافشانی و فرآیند ایجاد شده در حین روشن شدن آن تشریح شده اند.

یک دیود چیست؟ دیود ساده ترین نوع یک قطعه نیمه هادی است. در بیان متداول، نیمه هادی، ماده ای است که توانایی عبور جریانهای گوناگون را دارد. اکثر نیمه هادیها دارای خاصیت هدایت ضعیف هستند و این ویژگی بدلیل وجود ناخالصی در آنها ایجاد شده است. فرآیند افزودن ناخالصی به ماده را doping می نامند. در مورد LED ها، داده های نوعاً آلومینیم، گالیم و آرشیک است. تمام آنها دارای مقادیری ناخالصی بوده، محدوده و فضای اتمی آنها در کنار هم قرار دارند و هیچ الکترون آزادی برای عبور جریان الکتریکی از آنها جدا نمی شود. در اینگونه مواد، توازن و تعادل اتمی بر هم خورده و سبب جابجایی الکترونها یا حفره ها می شوند. این امر سبب می شود که خاصیت هدایت آنها افزایش پیدا کند. یک نیمه هادی با الکترونهای اضافی (بیشتر)، داده نوع N نامیده می شود و دارای ذرات با بار حتمی زیاد است. در ماده نوع N الکترونهای آزاد بصورت بار منفی آزادانه به طرف فضای مثبت حرکت می کنند. یک نیمه هادی با حفره های زیاد، نیمه هادی نوع P نامیده می شود. در این ماده ذرات دارای بار مثبت زیادی هستند. الکترونها در این حالت می توانند از یک حفره به حفره دیگر پرش کنند و سبب شود که فضای منفی به طرف فضای مثبت کشیده و جذب آن شود. در نتیجه بنظر می رسد که حفره ها در حال حرکت هستند. یک دیود دارای بخشی از ماده N و بخشی ماده P است که در دو انتهای آن دو الکترود وجود دارد. این آرایش توانایی هدایت جریان تنها در یک جهت را دارد. وقتی هیچ ولتاژی اعمال نشود الکترونها و حفره ها در ناحیه اتصال دو نیمه هادی تجمع می کنند این ناحیه بنام ناحیه تهی نامیده می شود. در این ناحیه قطعه بصورت عایق عمل می کند و حفره ها (تا حد امکان) نگهداشته می شوند و هیچ الکترون آزادی قادر به گذر از این ناحیه نیست. برای کوچک کردن و عبور از این ناحیه الکترونها و حفره ه


دانلود با لینک مستقیم


مقاله در مورد دیودهای نورانی

تحقیق درباره آشنایی با ساختمان و عملکرد دیودهای نیمه هادی و ترانزیستور

اختصاصی از فی ژوو تحقیق درباره آشنایی با ساختمان و عملکرد دیودهای نیمه هادی و ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق درباره آشنایی با ساختمان و عملکرد دیودهای نیمه هادی و ترانزیستور


تحقیق درباره آشنایی با ساختمان و عملکرد دیودهای نیمه هادی و ترانزیستور

فرمت فایل : word (قابل ویرایش) تعداد صفحات : 33 صفحه

 

 

 

 

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

  1.   نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم  آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.

 

ادامه....


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره آشنایی با ساختمان و عملکرد دیودهای نیمه هادی و ترانزیستور