این فایل یک پاورپوینت شامل 22 اسلاید در مورد ترانزیستورلایه نازک می باشد. در این 22 اسلاید مطالب زیر آورده شده است:
1)مقدمه 2)انواع ترانزیستور 3)معرفی ترانزیستورآلی 4)فیزیک کار ترانزیستور آلی
ترانزیستور لایه نازک
فی ژوو
مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشیفی ژوو
مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشیترانزیستور لایه نازک
اختصاصی از فی ژوو ترانزیستور لایه نازک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .
ترانزیستور لایه نازک
ترانزیستور لایه نازک
ترانزیستور اثر میدانی
اختصاصی از فی ژوو ترانزیستور اثر میدانی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .
ترانزیستور اثر میدانی
ترانزیستور اثر میدانی
فصل اول
مشخصات JFET
1ـ1 مقدمه
ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعه‌ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می‌رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می‌کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد.
اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT همانگونه که در شکل (الف 1ـ1) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET همانگونه که در شکل (ب 1ـ1) دیده می‌شود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC در شکل (الف 1ـ1) تابع مستقیم مقدار IB است. در FET جریان I تابعی از ولتاژ VGS است که مطابق شکل (ب 1ـ1) به ورودی مدار اعمال می‌شود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل می‌شود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده.
شکل (1ـ1) (الف) تقویت کننده کنترل جریان (ب) تقویت کننده کنترل ولتاژ
درست مانند ترانزیستورهای npn و pnp قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n و کانال p هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT یک قطعه دو قطبی (bipolar) است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفره‌ها. FET قطعه‌ای تک‌قطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n) و یا حفره (کانال p) وابسته است.
عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده‌های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می‌کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده‌های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می‌کند. در FET، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می‌آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می‌کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده.
این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه‌های آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصه‌ای FET، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازه‌های 1 تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT بیشتر می‌شود. و این شاخصه‌ای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT بیشتر از FETها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقویت کننده‌های BJT خیلی بیشتر از FETهاست. بطور کلی، FETها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشه‌های مدار مجتمع (آیسی) کارآمد می‌سازد. مشخصه‌های ساختمان برخی FETها در بکارگیری آنها بسیار موثر است.
دو نوع FET در این فصل معرفی می‌شود: ترانزیستور اثر میدانی پیوندی (JFET) و ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOS-FET)، دسته MOSFET خود به دو نوع تهی و افزایشی تقسیم می‌شوند که هر دو نوع آن شرح داده می‌شوند. ترانزیستور MOSFET یکی از مهمترین قطعات مورد استفاده در طراحی و ساخت مدارهای مجتمع کامپیوترهاست. ثبات حرارتی، و دیگر مشخصه‌های اصلی آنها، کاربردشان را در طراحی مدارهای کامپیوتری متداول ساخته است.
2ـ1ـ ساختمان و مشخصه‌های JFETها
همانگونه که پیش از این نشان داده شد، JFET یک قطعه سه پایانه است که یک پایانه آن قادر است جریان بین دو پایانه دیگر را کنترل کند. در ترانزیستور JFET، قطعة با کانال n به مثابه قطعه اصلی و مهم به تفصیل شرح داده خواهد شد ولی بخش‌هایی برای توضیح JFET کانال p نیز اختصاص خواهد داشت.
ساختمان اصلی JFET کانال n در شکل (2ـ1) نشان داده شده است. توجه کنید که قسمت اصلی ساختمان JFET را ماده کانال n تشکیل میدهد که لایه‌های ماده نوع P در طرفین آن جای داده شده است. قسمت فوقانی کانال n بوسیله یک اتصال اهمی به پایانه‌ای به نام درین (D) متصل است. دو ماده نوع p به یکدیگر و به پایانه‌ای موسوم به گیت (G) وصل است. بنابراین، اساساً درین و سورس به دو انتهای کانال نوع n و گیت به دو لایه نوع p وصل می‌شود. در نبودن یک پتانسیل و تغذیه نشدن، JFET دارای دو پیوند p-n است. در نتیجه یک ناحیه تهی مطابق شکل (2ـ1) در هر پیوند بوجود می‌آید که به ناحیه مشابه آن در دیود بدون ولتاژ شباهت دارد. به یاد داشته باشید که ناحیه تهی، ناحیه‌ای است خالی از حاملهای آزاد و بنابراین ناتوان از هدایت در این ناحیه.
مثالهای مکانیکی بندرت درست هستند و اغلب گمراه کننده‌اند، اما در شکل (3ـ1) نحوه کنترل گیت FET را و علت نامگذاری پایانه‌های این قطعه نشان داده شده است. فشار منبع آب به ولتاژ اعمال شده از درین به سورس تشبیه شده است که جریان آب (الکترونها) را از طریق توپی (سورس) ایجاد می‌کند. گیت از طریق سیگنال اعمال شده (پتانسیل)، جریان آب (بار) را به «درین» کنترل می‌کند. مطابق شکل (2ـ1) پایانه‌های درین و سورس در دو انتهای کانال n قرار گرفته‌اند.
word: نوع فایل
سایز: 1.32 MB
تعداد صفحه:85
ترانزیستور اثر میدانی
مقاله انواع ترانزیستور
اختصاصی از فی ژوو مقاله انواع ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .
مقاله انواع ترانزیستور
فرمت فایل اصلی: docx
تعداد صفحات: 29
حجم فایل: 105
بخشی از متن:
تاریخچه:
ترانزیستور در سال 1947 در آزمایشگاه های بل هنگام تحقیق برای تقویت کننده های بهتر و یافتن جایگزینی بهتر برای رله های مکانیکی اختراع شد.لوله های خلاء، صوت و موسیقی را در نیمه اول قرن بیستم تقویت کرده بودنداما توان زیادی مصرف می کردند و سریعا می سوختند . شبکه های تلفن نیز به صد ها هزار رله مکانیکی برای اتصال مدارات به همدیگر نیاز داشتند تا شبکه بتواند سر پا بایستد و چون این رله های مکانیکی بودند لازم بود برای عملکرد مطلوب همیشه تمیز باشند .در نتیجه نگه داری و سرویس آنها مشکل و پر هزینه بود.
با ظهور ترانزیستور قیمت ها نسبت به زمان استفاده از لامپ خلاء شکسته شد و بهبودی زیادی در کیفیت شبکه های تلفن حاصل گردید.
فهرست مطالب:
تاریخچه ترانزیستور
ترانزیستور چیست
ترانزیستور چگونه کار می کند
ترانزیستور چه کاری انجام میدهد
اختراع رادیو
مشکل آشکار سازی
تقویت
لامپ های خلأ یکسوساز
تقویت کنندگی لامپ خلأ
ترانزیستور
ترازیستور دوقطبی پیوندی
انواع ترانزیستور پیوندی
ساختمان ترانزیستور پیوندی
طرزکار ترانزیستور پیوندی
نحوه اتصال ترانزیستورها
اتصال کلکتور مشترک
ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی
مقاله انواع ترانزیستور
دانلود مقاله ترانزیستور
اختصاصی از فی ژوو دانلود مقاله ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .
دانلود مقاله ترانزیستور
دانلود مقاله ترانزیستور
ص 53 فرمت ورد
یک بیت حافظه عمل کند. یک فلیپ فلاپ می تواند شامل دو سیگنال ورودی، صفر یا
یک در پایه ورودی باشد. ضمنا یک فلیپ فلاپ دارای یک پایه زمانی(clock) و یک
خروجی(out put) و دو پایه set و reset می باشد.
بعضی از فلیپ فلاپ ها شامل یک پایه clear می باشند که خروجی را دوباره راه
اندازی(reset)می کنند. (در واقع فیلیپ فلاپ ها یکی از انواع مدارات مجتمع Ic))
هستند که برای کار به اتصالات تغذیه و زمین نیاز دارند.)
تغییرات پالسهای ورودی که منظور همان صفر و یک دیجیتال می باشند، بهمراه پایه clock
سبب تغییرات در خروجی می شوند. (عملا هر تغییری در وضعیت خروجی، به طور
همزمان وابسته به تغییرات پالس در پایهclock است. مشخصات آیسی های فلیپ
فلاپ ها مثلا پایه های ورودی، خروجی و بقیه پایه ها توسط کارخانه های سازنده در
دفترچه هایی تحت عنوان دیتاشیت(data sheet) قرار می گیرند.)
فلیپ فلاپ ها انواع متفاوتی دارند که این انواع مختلف عبارتند از:
فلیپ فلاپ SR
فلیپ فلاپ JK
فلیپ فلاپ T
فلیپ فلاپ D
فلیپ فلاپ SR
مدار داخلی یک فلیپ فلاپ SR با استفاده از گیت NOR
فلیپ فلاپ SR یک المان فیزیکی است که می تواند به عنوان یک عنصر تاخیر دهنده
به کار گرفته شود. این المان فیزیکی دارای دو ورودی به نام های R و S می باشد و
دو خروجی دارد که یکی متمم دیگری است.
طرز کاراین فلیپ فلاپ در جدول صحت به این شکل است که وقتی عملکرد مدار را
بررسی می کنیم اگر S=1 و R=0 باشد، اصطلاحا می گویند مدار set است یعنی
خروجی آن 1 شده است. اگر پس از آن S=0 شود، مدار در وضعیت set باقی می
ماند ولی اگر R=1 شود اصطلاحا می گویند مدار Reset شده است یعنی خروجی در
این لحظه صفر است، و اگر در این لحظه R=0 شود مدار در حالت Reset باقی می
ماند. بنابراین R=0 و S=0 در خروجی نشان می دهد که کدامیک از S یا R آخرین بار
برابر 1 بوده است. یعنی مدار آخرین وضعیت غیر صفر ورودی را به خاطر سپرده است.
مطابق جدول کارنو اگر R و S همزمان در حالت 1 قرار گیرند مدار در حالت نامشخص
خواهد بود. به این خاطر مدارهای دارای فلیپ فلاپ SR را طوری طراحی می کنند که
هیچ گاه ورودی ها.....
دانلود مقاله ترانزیستور
ترانزیستور
اختصاصی از فی ژوو ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .
ترانزیستور
ترانزیستور
20 صفحه
ترانزیستور را معمولاً به عنوان یکی از قطعات الکترونیک می‌شناسند. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیوم ساخته می‌شود.یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهایپیوند نوع N و پیوند نوع P می‌باشد.
فهرست مندرجات
. ۱ معرفی
ترانزیستور