دانلود پاورپوینت نقش فناوری و اطلاعات در تولید وساخت

اختصاصی از فی ژوو دانلود پاورپوینت نقش فناوری و اطلاعات در تولید وساخت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقدمه:
در جهان صنعتی امروز، به تولید به عنوان یک سلاح رقابتی نگریسته می شود و سازمانهای تولیدی در محیطی قرار گرفته اند که از ویژگیهای آن می توان به افزایش فشارهای رقابتی، تنوع در محصولات، تغییر در انتظارات اجتماعی و افزایش سطح توقع مشتریان اشاره کرد. محصولات در حالی که باید بسیار کیفی باشند، تنها زمان کوتاهی در بازار می مانند و باید جای خود را به محصولاتی بدهند که با آخرین ذائقه، سلیقه و یا نیاز مشتریان سازگار هستند. بی توجهی به خواست مشتری و یا قصور در تحویل به موقع ممکن است بسیار گران تمام شود. شرایط فوق سبب گردیده تا موضوع اطلاعات برای سازمانهای تولیدی از اهمیت زیادی برخوردار شود.

این تحقیق سعی دارد تا نقش و تاثیر فناوری اطلاعات در وضعیت کنونی تولید و ساخت کالاها را به تصویر بکشد. اهمیت این بررسی از آنجا ناشی می شود که چند سالی است در کشور، افزایش تعداد واحدهای تولیدی و به تبع آن تحقق نسبی فضای رقابتی باعث گردیده تا توجه تولیدکنندگان و شرکتهای صنعتی به کیفیت محصولات، افزایش سهم بازار و مسئله صادرات معطوف گردد.

تعداد صفحات: 20 صفحه

با قابلیت ویرایش

مناسب جهت ارائه سمینار و تحقیقات

طراحی وساخت مدار محافظ وسایل برقی

اختصاصی از فی ژوو طراحی وساخت مدار محافظ وسایل برقی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات116

-1- دیود 1N4007
یکسو کننده های سیم محوری با بازیابی استاندارد
این کاتالوگ اطلاعاتی را در مورد یکسوکننده های مونتاژی سیم محور کوچک جهت وسایل با توان و دارای کاربردهای متعدد فراهم می آورد.
ویژگی های مکانیکی :
- بدنه : اپوکسی ، دارای قالب
- وزن : 4/0 گرم ( تقریبی )
- پرداخت : کلیه سطوح خارجی در برابر خوردگی مقاوم هستند و سیم های ترمینال کاملا لحیم کاری شده اند.
- دمای سیم و سطح مونتاژبرای لحیم کاری : ماکزیمم C º220 برای 10 ثانیه با فاصله "16/1 از بدنه.
- بسته بندی شده در کیسه های پلاستیکی ، 1000 عدد در هر کیسه ، 4 نوار و چرخک موجود ، 5000 در هر حلقه ، با اضافه نمودن پسوند RL به شماره قطعه
- قطبیت : کاتد مطابق با باند قطبی
- نوع :4001N1،4002N1 ، 4003N1 ، 4004N1 ،4005N1، 4006N1،4007N1

شکل 1-1-1 : شکل فیزیکی قطعه

مقادیر نماد 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 واحد
ماکزیمم ولتاژ معکوس تکرار
ماکزیمم ولتاژ معکوس کار
قفل کننده ولتاژ DC VRRM

VRWM

VR 50 100 200 400 600 800 1000 V
ماکزیمم ولتاژ معکوس غیر مکرر
( نیم موج ، تک فاز
HZ 60 ) VRSM 60 120 240 480 720 1000 1200 V

ولتاژ RMS
معکوس VR (RMS )
35 70 140 280 420 560 700 V
میانگین جریان مستقیم یکسوکننده
( تک فاز ، بار مقاومتی ، HZ 60 الگوی 8 را ببینید ،
C) º 75= TA ) Io 1/0 1/0 1/0 1/0 1/0 1/0 1/0 A
ماکزیمم جریان غیر مکرر منبع IFSM

30
( برای 1 سیکل ) A
رنج دما برای اتصال عملی و ذخیره Tj
TSTG
65 – تا 175 +
C º
جدول 1-1-1- ماکزیمم مقادیر مجاز

مقادیر نماد نرمال ماکزیمم واحد
ماکزیمم افت ولتاژ مستقیم لحظه ای VF 93/0 1/1 V
ماکزیمم افت ولتاژ مستقیم سیکل کامل به طور متوسط ( در هر 1 اینچ از سیم )
C º 75= TL ، Amp 1 IO = VF (AV)
8/0

V
ماکزیمم جریان معکوس ( ولتاژ DC مجاز

C º 25 = Tj
C º 100 = Tj
IR

05/0
1

10
50
µA
ماکزیمم جریان معکوس به طور متوسط
( در هر اینچ از سیم )
C º 75= TL ، Amp 1 IO =

IR ( AV )


30
µA
جدول 2-1-1- مشخصات الکتریکی

بعد میلیمتر اینچ
مینیمم ماکزیمم مینیمم ماکزیمم
A 07/4 20/5 16/0 205/0
B 04/2 71/2 080/0 107/0
D 71/0 86/0 028/0 034/0
F
27/1 050/0
K
94/27 100/1
جدول 3- 1-1- ابعاد قطعه

شکل 2-1-1 : ابعاد قطعه
2-1- ترانزیستور Bc547
ترانزیستور NPN سیلیکونی با سیگنال کوچک AF
546BC تا 550 BCترانزیستورهای NPN سیلیکونی مسطح رونشستی هستند ، برای استفاده در سیگنال کوچک AF و مراحل تقویت و هدایت مدار تزویج .
با 556 BCتا 560 BCتکمیل می شوند .
549 BCو 559 BCبا الگوی نویز پایین مشخص می شوند .

تکنولوژی وساخت کوره ها ی ذوب

اختصاصی از فی ژوو تکنولوژی وساخت کوره ها ی ذوب دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تکنولوژی وساخت کوره ها ی ذوب در این تحقیق جامع تکنولوژی ساخت کوره های قوس الکتریکی و کوره های القایی برای شما عزیزان در نظر گرفته شده است.. فرمت pdf و تحقیق به زبان لاتین تعداد صفحه 14

پایان نامه بررسی وساخت انواع سنسورها وسنسور پارک

اختصاصی از فی ژوو پایان نامه بررسی وساخت انواع سنسورها وسنسور پارک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این فایل در قالب ورد و قابل ویرایش در 108 صفحه می باشد.

فهرست
مقدمه ۷
فصل ۱ : سنسور چیست ؟ ۸
فصل ۲ : تکنیک های تولید سنسور۱۱
فصل ۳ : سنسور سیلیکانی ۱۳
۳_۱ : خواص سیلیکان ۱۵-۱۳
۳_۲ : مراحل تولید در تکنولوژی سیلیکان۱۶-۱۵
۳_۳ : سنسور درجه حرارت ۱۷
۳_۴ : سنسور درجه حرارت مقاومتی ۱۷
۳_۵ : سنسور حرارت اینترفیس ۱۹
۳_۶ : سنسورهای حرارتی دیگر و کاربرد آنها۲۰
۳_۷ : سنسورهای فشار۲۱
۳-۸ : اثر پیزو مقاومتی ۲۲
۳-۹ : سنسورهای فشار پیزو مقاومتی ۲۳
۳_۱۰ : اصول سنسورهای فشار جدید۲۵
۳_۱۱ : سنسورهای نوری ۲۶
۳_۱۲ : مقاومت های نوری ۲۷
۳_۱۳ : دیودهای نوری و ترانزیستورهای نوری۲۸
۳-۱۴ : سنسورهای میدان مغناطیسی ۳۰
فصل ۴ : مولدهای هال و مقاومتهای مغناطیسی۳۱
۴_۱ : کاربردهای ممکن سنسورهای میدان مغناطیسی۳۲
فصل ۵ : سنسورهای میکرومکانیکی ۳۴
۵-۱ : سنسورهای شتاب / ارتعاش ۳۵
۵_۲ : سنسورهای میکروپل ۳۷
فصل ۶ : سنسورهای فیبر نوری ۳۹
۶_۱ : ساختمان فیبر ها ۴۰
۶_۲ : سنسورهای چند حالته ۴۱
۶_۳ : سنسورهای تک حالته ۴۴
۶_۴ : سنسورهای فیبر نوری توزیع شده ۴۶
فصل ۷ : سنسورهای شیمیایی ۵۲
۷_۱ : بیو سنسورها ۵۶
۷_۲ : سنسورهای رطوبت ۵۸
فصل ۸ : سنسورهای رایج و کاربرد آن ۶۰
۸_۱ : سنسورهای خازنی ۶۰
فصل ۹ : سنسور ویگاند۶۲
فصل ۱۰ : سنسورهای تشدیدی۶۶
۱۰_۱ : سنسورهای تشدیدی کوارتز۶۷
۱۰_۲ : سنسورهای موج صوتی سطحی ۶۹
فصل ۱۱ : سنسورهای مافوق صوت ۷۱
فصل ۱۲ : سنسور پارک ۷۹
۱۲-۱: پتاسیومترها ۷۹
۱۲-۲ : خطی بودن پتاسیومترها ۸۰
۱۲-۳ : ریزولوشن پتاسیومترها ۸۲
۱۲-۴ : مسائل نویزالکتریکی در پتاسیومترها۸۴
۱۲-۵ : ترانسدیوسرهای جابه جایی القایی ۸۵
۱۲-۶ : ترانسدیوسرهای رلوکتانس متغیر۸۵
۱۲-۷ : ترانسفورمورهای تزویج متغیر: LDTوLVDT 89
12-8 : ترانسدیوسرهای تغییرمکان جریان ادی ۹۴
۱۲-۹ : ترانسدیوسرهای تغییرمکان خازنی ۹۶
۱۲-۱۰ : رفتارخطی ترانسدیوسرهای تغییرمکان خازنی ۹۹
۱۲-۱۱: سنسورهای حرکت ازنوع نوری ۱۰۰
۱۲-۱۲ : ترانسدیوسرهای تغییرمکان اولتراسوند ۱۰۱
۱۲-۱۳ : سنسورهای پرآب هال سرعت چرخش وسیتم های بازدارنده
(کمک های پارکینگ ) ۱۰۴
۱۲-۱۴ : سیستم های اندازه گیری تغییرمکان اثرهال ۱۰۵
۱۲-۱۵ : سنسوردوبل پارک ۱۰۶
۱۲-۱۶ : آی سی ۵۵۵ درمواد ترانسمیتر۱۰۷
منابع۱۰۸
منابع
۱- اصول و کاربرد سنسورها نوشته پیتر هاپتمن
۲- Binder , J . sensors and actuaters 4
۳- Kawamura Y. Proc. TRANDUCER
۴- Baltes, H .P. and Popovic ,R.S . Proc . IEEE 74
۵- Angell, J.B . Silicon Micromechanical Device ,and Electro Optics
۶- Moretti ,M . Laser Focus
۷- Williams,D.E.,stonham,A.M.and Moseley,P.T
۸-Harada,k.et al;IEEE Trans.Magntics .
۹-Fernisse,E . P .et al;IEEE Trans.Ultrasonics,ferroelectrics frequ.control.
۱۰- Clifford, P.K Proc.int.meeting on chemical sensor
فصل اول
سنسور چیست؟
نوری الکترونی به صورت یک سیگنال الکتریکی تبدیل کند. بنابراین سنسور را می‌توان به عنوان یک زیر گروه از تفکیک کننده‌ها که وظیفه‌ی آن گرفتن علائم ونشانه‌ها از محیط فیزیکی و فرستادن آن به واحد پردازش به صورت علائم الکتریکی است تعریف کرد. البته سنسوری مبدلی نیز ساخته شده‌اند که خود به صورت IC می‌باشند و به عنوان مثال (سنسورهای پیزوالکترونیکی، سنسورهای نوری).
وقتی ما از سنسوری مجتمع صحبت می‌کنیم منظور این است که تکیه پروسه آماده‌سازی شامل تقویت کردن سیگنال، فیلترسازی، تبدیل آنالوگ به دیجیتال و مدارات تصحیح‌ می‌باشند، در غیر این صورت سنسوری که تنها سیگنال تولید می‌کند به نا سیستم موسوم هستند.
در نوع پیشرفته به نام سنسور هوشمند یک واحد پردازش به سنسور اضافه شده است تا خورجی آن عاری از خطا باشد منطقی‌تر شود. واحد پردازش سنسور که به صورت یک مدار مجتمع عرضه می‌شود اسمارت (Smart) نامیده می‌شود. یک سنسور باید خواص عمومی زیر را داشته باشد تا بتوان در سیستم به کار برد که عبارتند از:
حساسیت کافی، درجه بالای دقت و قابلیت تولید دوباره خوب، درجه بالای خطی بودن، عدم حساسیت به تداخل و تاثیرات محیطی، درجه بالای پایداری و قابلیت اطمینان، عمر بالای محصول و جایگزینی بدون مشکل.
امروزه با پیشرفت صنعت الکترونیک سنسوری مینیاتوری ساخته می‌شود که از جمله مشخصه‌ی آن می‌توان به موارد زیر اشاره کرد:
سیگنال خروجی بدون نویز، سیگنال خروجی سازگار با باس، احتیاج به توان پایین.
فصل دوم
تکنیک های تولید سنسور
تکنولوژی سنسور امروزه براساس تعداد نسبتاً زیادی از سنسورهای غیرمینیاتوری استوار شده است. این امر با بررسی ابعاد هندسی سنسوریهایی برای اندازه‌گیری فاصله، توان، شتاب، سیال عبوری فشار و غیره مشاهده می‌شود. برای اکثر سنسورها این ابعاد از cm10 تجاوز می‌کند. اغلب ابعاد، سنسورها توسط خود سنسور تعیین نمی‌شود بلکه وسیله پوشش خارجی آن مشخص می‌گردد. با این وجود، حتی در چنین مواردی خود سنسورها از نظر اندازه در حد چند سانتی‌متر هستند. چنین سنسوریهایی که می‌تواند گاهی خیلی گرانبها باشند، برای مثال در زمینة اندازه‌گیری پروسة. تکنولوژی تولید و ربات‌ها، تکنولوژی‌های میکروالکترونیک زیر اکثراً به کار برده می‌شوند:
تکنولوژی سیلیکان، تکنولوژی لایه نازک، تکنولوژی لایه ضخیم/هیبرید، سایر تکنولوژی‌های نیمه هادیپرسوه‌های دیگری نیز در تولید سنسور بکار برده می‌شود، از قبیل تکنولوژی‌های فویل سینتر، تکنولوژی فیبرنوری، مکانیک دقیق، تکنولوژی لیزر نوری، تکنولوژی مایکروویو و تکنولوژی بیولوژی. بعلاوه، تکنولوژی‌هایی از قبیل پلیمرها، آلیاژهای فلزی یا مواد پیزوالکتریکی نیز نقش حساسی را در تولید سنسور بازی می‌کنند.از آنجایی که سیلیکان و نیمه هادی‌های دیگر بطور خیلی گسترده در میکروالکترونیک بکار برده می شوند. در ادامه به تشریح این پروسه تولید می‌پردازم.
فصل سوم
سنسور سیلیکانی
استراتژی ترجیح داده شده در ساخت سنسوریها برمبنای سیلیکانی جدید بهره‌مند شدن از تکنیک‌ها و پردازش‌هایی هست که قبلاً در صنعت مدار مجتمع (IC) بر مبنای سیلیکان بنا نهاده شده است و به این طریق می‌توانذ از تجربیات و نتایج این بخش صنعتی سود جست

خواص سیلیکان واثرات آن بر سنسور:
سیلیکان یک ماده مناسب برای تکنولوژی سنسور است به ظرط آن که اثرات فیزیکی و شیمیایی کافی با قوت قابل قبول نشان دهد که می‌تواند در ساختارهای غیرپیچیده در طول گسترة وسیعی از درجه حرارت‌ها بکار برده شود. استفاده از سیلیکان دارای چندین پی آمد برای سنسورها می‌باشد. نخست آن که، خواص فیزیکی سیلیکان می‌تواند مستقیماً برای اندازه‌گیری کمیت اندازه‌گیری شوند. مطلوب به کار برده شود.
در جدیدترین تحولی که در سال ۱۹۸۰ جلوه‌گر شد، ارتباط تکنولوژی میکروالکترونیک با تکنیک‌های ایجاد شده بویژه برای تولید سنسور است، از قبل برداشتن نم غیریکسان، یا شیشه آندی در اتصال سیلیکانی. به این طریق خواص مکانیکی بسیار خوب سیلیکان تک کریستال می‌تواند برای ساخت سنسورهای بدیع به کار برده شود. ای تکنولوژی که به نام میکرومکانیک موسوم است منجر به تولید عناصر سیلیکانی مکانیکی یا مکانیکی/ الکترونیکی با ابعادی به اندازة مشابه الکترونیکی آنها می‌گردد، که از نظر اندازه چندین میکرومتر هستند. سیلیکان تک کریستالی بویژه بخاطر خواص مکانیکی عالی خود با این تکنولوژی بخوبی سازگار است. تک کریستالی تغییر ماهیت نمی‌دهد. با این وجود، شکنندگی آن می‌تواند یک ایراد باشد. همچون الماس، این کریستال می‌تواند در عرض ضخامت مختلف شکسته می‌شود. نتیجه آن که بسیاری از سنسورهای ساخته شده بر مبنای سیلیکان تک کریستالی به کاربردهایی که در آن درجه حرارت به بالاتر از ۱۵۰-۱۲۰ درجه سانتی گرد افزایش پیدا نمی کند محدود می‌شوند.

طراحی وساخت دستگاه برش حرارتی

اختصاصی از فی ژوو طراحی وساخت دستگاه برش حرارتی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پودمان های مرتبط با این پروژه:

• پودمان فلز کاری
• پودمان برق و الکترونیک
• پودمان فناوری شهروند الکترونیکی2
• پودمان فناوری اطلاعات وارتباطات
• سایر پودمان های پایه هفتم مورد نیاز در این پرو‍‍‍‍ژه

1-کاربرد دستگاه برش حرارتی:

شاید شما قطعات سفید رنگ و سبک وزنی با نام یونولیت که برای محافظت وسایل مختلف درون جعبه وسایل صوتی وتصویری،ظروف آشپز خانه قرار داده می شوند. برای بریدن یونولیت معمولآ دچار مشکل می شوید.

یونولیت میتواند به دلیل سبکی و دسترسی آسان می تواند ماده اولیه ی  مناسبی برای اجرای برخی  از پروژه ها به شرح زیر است:

معراب نماز خانه،ماسک ودکور ،ماکت ساختمانی،ماکت مبلمان و تابلو است.

توجه:برای تامین منبع انرژی این دستگاه باید از مبدل الکتریکی استفاده شود.

نکات ایمنی:هنگام کار از ابزار مناسب استفاده کنید.

هنگام استفاده استفاده از سوزن خط دکشی مراقب نوک تیز آن باشید.

هنگام کار اصلآ شوخی نکنید.